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图示 7. 典型 支持 电流 相比
接合面 温度
图示 8. 典型 闭锁 电流 相比
接合面 温度
图示 9. exponential 静态的 dv/dt 相比
gate−mt1 阻抗, mt2(+)
图示 10. exponential 静态的 dv/dt 相比
gate−mt1 阻抗, mt2(−)
图示 11. exponential 静态的 dv/dt 相比
顶峰 电压, mt2(+)
图示 12. exponential 静态的 dv/dt 相比
顶峰 电压, mt2(−)
75 125−50
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
60
20
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
25 125−50
40
20
0
1000 10 k100
R
G−MT1
, gate−mt1 阻抗 (ohms)
10 k
8.0 k
6.0 k
4.0 k
2.0 k
0
R
G−MT1
, gate−mt1 阻抗 (ohms)
100
15 k
10 k
5.0 k
0
500 600400
V
PK
, 顶峰 电压 (伏特)
10 k
6.0 k
4.0 k
2.0 k
0
V
PK
, 顶峰 电压 (伏特)
400
14 k
12 k
6.0 k
2.0 k
0
600
I
H
, 支持 电流 (毫安)
I
静态的 dv/dt (v/ s)
静态的 dv/dt (v/ s)
10
0
−25 0 25 50 100 −25 0
80
100
120
1000 10 k
700 800 500 800700
, 闭锁 电流 (毫安)
L
40
30
50
10050 75
静态的 dv/dt (v/ s)
静态的 dv/dt (v/ s)
mt2 积极的
mt2 负的
Q2
Q3
Q1
T
J
= 125
°
C
V
PK
= 400 v
600 v
800 v
T
J
= 125
°
C
V
PK
= 400 v
600 v
800 v
门 打开
T
J
= 100
°
C
125
°
C
110
°
C
门 打开
T
J
= 100
°
C
125
°
C
110
°
C
60
8.0 k
10 k
8.0 k
4.0 k
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