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mac08bt1, mac08mt1
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7
静态的 dv/dt (v/    s)
60
20
R
G
, 门 – 主要的 终端 1 阻抗 (ohms)
图示 13. exponential 静态的 dv/dt 相比
门 – 主要的 终端 1 阻抗
10 10,000
图示 14. 典型 门 触发 电流 变化
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
0.1
10
0– 40 20 100
I
1.0
v      , 门 触发 电压 (伏特)
1.1
0.3
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
–40
µ
GT
600 v
pk
T
J
= 110
°
C
I
GT4
I
GT1
50
40
30
1000100
I
GT3
I
GT2
GT
, 门 触发 电流 (毫安)
–20 40 60 80
0 20 100–20 406080
V
GT2
V
GT1
V
GT3
V
GT4
主要的 终端 #2
积极的
主要的 终端 #1
积极的
支持 电流 (毫安)
6.0
0
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 15. 典型 支持 电流 变化
–40
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
i   ,
H
0 20 100–20 40 60 80
主要的 终端 #2
积极的
主要的 终端 #1
积极的
图示 16. 门 触发 电压 变化

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mac08bt1, mac08mt1 http://onsemi.com 7 静态的 dv/dt (v/ s) 60 20 R G , 门 – 主要的终端 1 阻抗 (ohms) 图示 13. exponential 静态的 dv/dt 相比门 – 主要的终端 1 阻抗 10 10,000 图示 14. 典型门触发电流变化 T J , 接合面温度 ( ° c) 0.1 10 0– 40 20 100 I 1.0 v , 门触发电压 (伏特) 1.1 0.3 T J , 接合面温度 ( ° c) –40 µ GT 600 v pk T J = 110 ° C I GT4 I GT1 50 40 30 1000100 I GT3 I GT2 GT , 门触发电流 (毫安) –20 40 60 80 0 20 100–20 406080 V GT2 V GT1 V GT3 V GT4 主要的终端 #2 积极的主要的终端 #1 积极的支持电流 (毫安) 6.0 0 T J , 接合面温度 ( ° c) 图示 15. 典型支持电流变化 –40 5.0 4.0 3.0 2.0 1.0 i , H 0 20 100–20 40 60 80 主要的终端 #2 积极的主要的终端 #1 积极的图示 16. 门触发电压变化

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