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rev. b
MAT03
图示 12. 额外的刺激 或者 saber 模型
产品 信息
mat03 模型
这 mat03 模型 (图示 12) 包含 parasitic 二极管 d
3
通过 d
6
. d
1
和 d
2
是 内部的 保护 二极管 这个
阻止 zenering 的 这 根基-发射级 汇合处.
这 分析 programs, 额外的刺激 和 saber, 是 primarily 使用
在 evaluating 这 函数的 效能 的 系统. 这 mod-
els 是 提供 仅有的 作 一个 aid 在 utilizing 这些 simulation
programs.
mat03 噪音 度量
所有 resistive 组件 (johnson 噪音, e
n
2
= 4ktbr, 或者 e
n
=
0.13
√
R
nv/
√
Hz
, 在哪里 r 是 在 k
Ω
) 和 半导体 汇合处
(shot 噪音, 造成 用 电流 流 通过 一个 接合面, pro-
duces 电压 噪音 在 序列 阻抗 此类 作 晶体管-
集电级 加载 电阻器, i
n
= 0.566
√
I
pa/
√
Hz
在哪里 i 是 在
µ
一个)
contribute 至 这 系统 输入 噪音.
图示 13 illustrates 一个 技巧 为 测量 这 相等的
输入 噪音 电压 的 这 mat03. 1 毫安 的 平台 电流 是 使用
图示 13. mat03 电压 噪音 度量 电路
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