电的 特性
(在 –25
C
≤
T
一个
85
c 为 mat04e, –40
C
≤
T
一个
85
c 为 mat04f, 除非
否则 指出. 各自 晶体管 是 individually 测试. 为 相一致 参数 (v
OS
, i
OS
) 各自 双 晶体管 结合体 是
核实 至 满足 陈述 限制. 所有 tests 制造 在 endpoints 除非 否则 指出.)
MAT04E MAT04F
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 最小值 典型值 最大值 单位
电流 增益 h
FE
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
1
225 625 200 500
补偿 电压 V
OS
10
µ
一个
≤
I
C
≤
1 毫安
0 v
≤
V
CB
≤
30 v
2
60 260 120 520
µ
V
平均 补偿 TCV
OS
I
C
= 100
µ
一个
电压 逐渐变化 V
CB
= 0 v
3
0.2 1 0.4 2
µ
v/
°
C
输入 偏差 电流 I
B
I
C
= 100
µ
一个
0 v
≤
V
CB
≤
30 v 160 445 200 500 nA
输入 补偿 电流 I
OS
I
C
= 100
µ
一个
V
CB
= 0 v 4 20 8 40 nA
平均 补偿 TCI
OS
I
C
= 100
µ
一个
电流 逐渐变化 V
CB
= 0 v 50 100 pa/
°
C
损坏 电压 BV
CEO
I
C
= 10
µ
A4040V
集电级-根基 I
CBO
V
CB
= 40 v
泄漏 电流 0.5 0.5 nA
集电级-发射级 I
CES
V
CE
= 40 v
泄漏 电流 5 5 nA
集电级-基质 I
CS
V
CS
= 40 v
泄漏 电流 0.7 0.7 nA
MAT04
–3–
rev. d
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