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MB3887
2
(持续)
• 输出 电压 设置 使用 external 电阻 : 1 cell 至 4 cells
• 高 效率 : 96
%
(vin
=
19 v, vo
=
16.8 v)
• 宽 范围 的 运行 supply 电压 : 8 v 至 25 v
• 输出 电压 设置 精度 : 4.2 v
±
0.74
%
(ta
=
−
10
°
c 至
+
85
°
c , 每 cell)
• charging 电流 精度 :
±
5
%
• 建造-在 频率 设置 电容 使能 frequency 设置 使用 外部 电阻 仅有的
• 振动 频率 范围 : 100 khz 至 500 khz
• 建造-在 电流 发现 放大器 和 wide 在-阶段 输入 电压 范围 : 0 v 至 vcc
• 在 备用物品 模式, leave 输出 电压 设置 resi贮存 打开 至 阻止 inefficient 电流 丧失
• 建造-在 备用物品 电流 函数 : 0
µ
一个 (标准)
• 建造-在 软-开始 函数 独立 的 负载
• 建造-在 totem-柱子 输出 平台支承的 p-频道 mos 场效应晶体管 设备

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MB3887 2 (持续) • 输出电压设置使用 external 电阻 : 1 cell 至 4 cells • 高效率 : 96 % (vin = 19 v, vo = 16.8 v) • 宽范围的运行 supply 电压 : 8 v 至 25 v • 输出电压设置精度 : 4.2 v ± 0.74 % (ta = − 10 ° c 至 + 85 ° c , 每 cell) • charging 电流精度 : ± 5 % • 建造-在频率设置电容使能 frequency 设置使用外部电阻仅有的 • 振动频率范围 : 100 khz 至 500 khz • 建造-在电流发现放大器和 wide 在-阶段输入电压范围 : 0 v 至 vcc • 在备用物品模式, leave 输出电压设置 resi贮存打开至阻止 inefficient 电流丧失 • 建造-在备用物品电流函数 : 0 µ 一个 (标准) • 建造-在软-开始函数独立的负载 • 建造-在 totem-柱子输出平台支承的 p-频道 mos 场效应晶体管设备

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