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整流器 设备 数据
轴的 含铅的 整流器
. . . employing 这 肖特基 屏障 principle 在 一个 大 范围 metal–to–silicon
电源 二极管. state–of–the–art geometry 特性 外延的 构建 和
oxide passivation 和 metal overlap 联系. ideally suited 为 使用 作 整流器
在 low–voltage, high–frequency 反相器, 自由 转动 二极管, 和 极性
保护 二极管.
•
低 反转 电流
•
低 贮存 承担, majority 运输车 传导
•
低 电源 丧失/高 效率
•
高级地 稳固的 oxide 钝化的 接合面
机械的 特性:
•
情况: 环氧的, 模塑的
•
重量: 0.4 gram (大概)
•
完成: 所有 外部 surfaces corrosion resistant 和 终端 leads 是
readily solderable
•
含铅的 和 挂载 表面 温度 为 焊接 目的: 220
°
C
最大值 为 10 秒, 1/16
″
从 情况
•
运输 在 塑料 bags, 1000 每 袋子
•
有 录音带 和 卷盘, 5000 每 卷轴, 用 adding 一个 “rl’’ 后缀 至 这
部分 号码
•
极性: cathode 表明 用 极性 带宽
•
标记: b150, b160
最大 比率
比率 标识 MBR150 MBR160 单位
顶峰 repetitive 反转 电压
working 顶峰 反转 电压
直流 blocking 电压
V
RRM
V
RWM
V
R
50 60 伏特
rms 反转 电压 V
r(rms)
35 42 伏特
平均 调整的 向前 电流 (2)
(v
r(equiv)
v
0.2 v
R
(直流), t
L
= 90
°
c, r
θ
JA
= 80
°
c/w, p.c. 板 挂载,
看 便条 3, t
一个
= 55
°
c)
I
O
1 放大
nonrepetitive 顶峰 surge 电流
(surge 应用 在 评估 加载 情况, halfwave, 单独的 阶段, 60 hz, t
L
= 70
°
c)
I
FSM
25 (为 一个 循环) 放大器
运行 和 存储 接合面 温度 范围 (反转 电压 应用) T
J
, t
stg
*
65 至 +150
°
C
顶峰 运行 接合面 温度 (向前 电流 应用) T
j(pk)
150
°
C
热的 特性
(注释 3 和 4)
典型的 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 R
θ
JA
80
°
c/w
电的 特性
(t
L
= 25
°
c 除非 否则 指出) (2)
典型的 标识 最大值 单位
最大 instantaneous 向前 电压 (1)
(i
F
= 0.1 一个)
(i
F
= 1 一个)
(i
F
= 3 一个)
v
F
0.550
0.750
1.000
Volt
最大 instantaneous 反转 电流 @ 评估 直流 电压 (1)
(t
L
= 25
°
c)
(t
L
= 100
°
c)
i
R
0.5
5
毫安
(1) 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 = 300
µ
s, 职责 循环
≤
2.0%.
(2) 含铅的 温度 涉及 是 cathode 含铅的 1/32
″
从 情况.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
motorola, 公司 1996
顺序 这个 文档
用 mbr150/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
MBR150
MBR160
肖特基 屏障
整流器
1 ampere
50, 60 伏特
情况 59–04
塑料
mbr160 是 一个
motorola preferred 设备
rev 1
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