mbr2035ct-mbr2060ct
mbr2035ct - mbr2060ct, rev.
C
2001 仙童 半导体 公司
mbr2035ct - mbr2060ct
肖特基 整流器
绝对 最大 ratings*
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
*
这些 比率 是 限制的 值 在之上 这个 这 serviceability 的 任何 半导体 设备 将 是 impaired.
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识
参数
设备
单位
2035ct 2045ct 2050CT 2060CT
V
F
向前 电压 i
f =
10 一个, t
C
= 25
°
C
I
f =
10 一个, t
C
= 125
°
C
I
f =
20 一个, t
C
= 25
°
C
I
f =
20 一个, t
C
= 125
°
C
-
0.57
0.84
0.72
0.80
0.70
0.95
0.85
V
V
V
V
I
R
反转 电流 @ 评估 v
R
T
一个
= 25
°
C
T
一个
= 125
°
C
0.1
15
0.15
150
毫安
毫安
I
RRM
顶峰 repetitive 反转 surge 电流
2.0 美国 脉冲波 宽度, f = 1.0 khz
1.0 0.5 一个
特性
•
低 电源 丧失, 高 效率.
•
高 surge capacity.
•
为 使用 在 低 电压, 高 频率
反相器, 自由 转动, 和 极性
保护 产品.
•
metal 硅 接合面, majority 运输车
传导.
•
高 电流 capacity, 低 向前
电压 漏出.
•
守卫 环绕 为 在 电压 保护.
热的 特性
标识
参数
值
单位
2035ct 2045ct 2050CT 2060CT
V
RRM
最大 repetitive 反转 电压 35 45 50 60 V
I
f(av)
平均 调整的 向前 电流
.375 " 含铅的 长度 @ t
一个
= 135
°
C
20 一个
I
FSM
非-repetitive 顶峰 向前 surge 电流
8.3 ms 单独的 half-sine-波
150 一个
T
stg
存储 温度 范围 -65 至 +175
°
C
T
J
运行 接合面 温度 -65 至 +150
°
C
+
情况
管脚 2
管脚 3
管脚 1
至-220ab
1
2
3
标识
参数
值
单位
P
D
电源 消耗 2.0 W
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面 至 包围的 * 60
°
c/w
R
θ
JL
热的 阻抗, 接合面 至 含铅的 2.0
°
c/w
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