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资料编号:474009
 
资料名称:MBT3946DW1T1G
 
文件大小: 168.56K
   
说明
 
介绍:
Dual General Purpose Transistor
 
 


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MBT3946DW1T1
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
一个
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 最大值 单位
止 特性
集电级发射级 损坏 电压 (便条 2)
(i
C
= 1.0 madc, i
B
= 0) (npn)
(i
C
= −1.0 madc, i
B
= 0) (pnp)
V
(br)ceo
40
−40
Vdc
集电级根基 损坏 电压
(i
C
= 10
模数转换器, i
E
= 0) (npn)
(i
C
= −10
模数转换器, i
E
= 0) (pnp)
V
(br)cbo
60
−40
Vdc
发射级根基 损坏 电压
(i
E
= 10
模数转换器, i
C
= 0) (npn)
(i
E
= −10
模数转换器, i
C
= 0) (pnp)
V
(br)ebo
6.0
−5.0
Vdc
根基 截止 电流
(v
CE
= 30 vdc, v
EB
= 3.0 vdc) (npn)
(v
CE
= −30 vdc, v
EB
= −3.0 vdc) (pnp)
I
BL
50
−50
nAdc
集电级 截止 电流
(v
CE
= 30 vdc, v
EB
= 3.0 vdc) (npn)
(v
CE
= −30 vdc, v
EB
= −3.0 vdc) (pnp)
I
CEX
50
−50
nAdc
在 特性
(便条 2)
直流 电流 增益
(i
C
= 0.1 madc, v
CE
= 1.0 vdc) (npn)
(i
C
= 1.0 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 50 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= 100 madc, v
CE
= 1.0 vdc)
(i
C
= −0.1 madc, v
CE
= −1.0 vdc) (pnp)
(i
C
= −1.0 madc, v
CE
= −1.0 vdc)
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −1.0 vdc)
(i
C
= −50 madc, v
CE
= −1.0 vdc)
(i
C
= −100 madc, v
CE
= −1.0 vdc)
h
FE
40
70
100
60
30
60
80
100
60
30
300
300
集电级发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc) (npn)
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc)
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc) (pnp)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
ce(sat)
0.2
0.3
−0.25
−0.4
Vdc
根基发射级 饱和 电压
(i
C
= 10 madc, i
B
= 1.0 madc) (npn)
(i
C
= 50 madc, i
B
= 5.0 madc)
(i
C
= −10 madc, i
B
= −1.0 madc) (pnp)
(i
C
= −50 madc, i
B
= −5.0 madc)
V
是(sat)
0.65
−0.65
0.85
0.95
−0.85
−0.95
Vdc
SMALL−信号 特性
电流增益 − 带宽 产品
(i
C
= 10 madc, v
CE
= 20 vdc, f = 100 mhz) (npn)
(i
C
= −10 madc, v
CE
= −20 vdc, f = 100 mhz) (pnp)
f
T
300
250
MHz
输出 电容
(v
CB
= 5.0 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) (npn)
(v
CB
= −5.0 vdc, i
E
= 0, f = 1.0 mhz) (pnp)
C
obo
4.0
4.5
pF
输入 电容
(v
EB
= 0.5 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz) (npn)
(v
EB
= −0.5 vdc, i
C
= 0, f = 1.0 mhz) (pnp)
C
ibo
8.0
10.0
pF
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s; 职责 循环
2.0%.
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