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资料编号:474639
 
资料名称:MC33064DM
 
文件大小: 150.14K
   
说明
 
介绍:
UNDERVOLTAGE SENSING CIRCUIT
 
 


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U
NDERVOLTAGE
S
ENSING
C
IRCUIT
mc33064/mc34064
产品 数据手册 1996/1997
9
版权 © 1999
rev. 1.3 6/99
P
RODUCTION
D
ATA
S
HEET
典型 应用 电路
图示 15.
— 低 电压 微处理器 重置
一个 时间 delayed 重置 能 是 accomplished 和 这 增加 的 c
DLY
.
为 系统 和 极其 快 电源 供应 上升 时间 (< 500ns) 它
是 推荐 那 这 rc
DLY
时间 常量 是 更好 比 5.0µs.
V
th(mpu)
是 这 微处理器 重置 输入 门槛.
overheating 的 这 逻辑 水平的 电源 场效应晶体管 预定的 至 insufficient 门
电压 能 是 阻止 和 这 在之上 电路. 当 这 输入 信号 是
在下 这 4.6 volt 门槛 的 这 mc34064, 它的 输出 grounds 这 门
的 这 l
2
场效应晶体管.
图示 17.
— 电压 监控
图示 18.
— 场效应晶体管 低 电压 门 驱动 保护
V
th(mpu)
V
1 -
t
DLY
= r c
DLY
1
图示 16.
— 切换 这 加载 止 当
电池 reaches 在下 4.3v
电源
供应
1.2 v
REF
微处理器
电路
重置
C
DLY
R
V
1.2 v
REF
加载
重置
V
电源
供应
1.2 v
REF
重置
V
1.0k
1.2 v
REF
重置
V
270
4.3v
V
CC
R
L
smp60n03-10L
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