mc9328mxl 进步 信息, rev. 5
6 freescale 半导体
信号 和 连接
2 信号 和 连接
表格 3 identifies 和 describes 这mc9328mxl 信号 那 是 assigned至 包装 管脚. 这 信号 是
grouped 用 这 内部的 单元 那 它们 是 连接 至.
表格 3. mc9328mxl 信号 描述
信号 名字 函数/注释
外部 总线/碎片-选择 (eim)
a[24:0] 地址 总线 信号
d[31:0] 数据 总线 信号
EB0 msb 字节 strobe—active 低 外部 使能 字节 信号 那 控制 d [31:24].
EB1 字节 strobe—active 低 外部 使能字节 信号 那 控制 d [23:16].
EB2 字节 strobe—active 低 外部 使能字节 信号 那 控制 d [15:8].
EB3 lsb 字节 strobe—active 低 外部 使能 字节 信号 那 控制 d [7:0].
OE 记忆 输出 enable—active 低 输出 使能 外部 数据 总线.
CS[5:0] 碎片-select—the 碎片-选择 信号 cs[3:2] 是 多路复用 和 csd[1:0] 和 是 选择 用 这
函数 multiplexing 控制 寄存器 (fmcr). 用 default csd
[1:0] 是 选择.
ECB 起作用的 低 输入 信号 sent 用 一个 flash 设备 至这 eim whenever 这 flash 设备 必须 terminate 一个
在-going burst sequence 和 initiate 一个 新 (长 第一 进入) burst sequence.
LBA 起作用的 低 信号 sent 用 一个 flash 设备 造成 the 外部 burst 设备 至 获得 这 开始 burst
地址.
bclk (burst 时钟) 时钟 信号 sent 至 外部 同步的 memories (此类 作 burst flash) 在 burst 模式.
RW RWsignal—indicates whether external 进入 是 一个 读 (高) 或者 写 (低) 循环. 使用 作 一个 我们
输入 信号 用 外部 dram.
DTACK DTACK
signal—the 外部 输入 数据 acknowledge 信号. 当 使用 这 外部 dtack 信号
作 一个 数据 acknowledge 信号, 这 总线 时间-输出 监控 发生 一个 总线 错误 当 一个 总线 循环 是
不 terminated 用 这 外部 dtack 信号 之后 1022 时钟 counts 有 消逝.
自举
激励 [3:0] 系统 激励 模式 select—the运算的 系统 激励 模式的 这 mc9328mxl在之上 系统
重置 是 决定 用 这settings 的 这些 管脚.
sdram 控制
sdba [4:0] sdram/syncflash 非-interleave模式 bank 地址 多路复用 和 地址 信号 一个 [15:11].
这些 信号 是 logically 相等的 至 核心 地址 p_地址 [25:21] 在 sdram/syncflash 循环.
sdiba [3:0] sdram/syncflash interleave 寻址 模式 bank 地址 多路复用 和 地址 信号 一个
[19:16]. 这些 信号 是 logically 相等的 至核心 地址 p_地址 [12:9] 在 sdram/syncflash
循环.
毫安 [11:10] sdram 地址 信号
毫安 [9:0] sdram 地址 信号 这个 是 多路复用 和 address 信号 一个 [10:1].毫安 [9:0] 是 选择
在 sdram/syncflash 循环.
dqm [3:0] sdram 数据 使能
CSD0 sdram/syncflash 碎片-选择 信号这个 是 多路复用 和 这 cs2信号. 这些 二 信号
是 可选择的 用 程序编制这 系统 控制 寄存器.
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