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3 - 4
I
2
dt
I
TAVM
/
I
FAVM
I
dAVM
P
tot
W
T
一个
T
一个
T
C
s
t
ms
t
0.001 0.01 0.1 1
0
2000
4000
6000
8000
10000
110
10
4
10
5
10
6
一个
2
s
0 255075100125150
0
100
200
300
400
I
TSM
一个
一个
°C
I
TAVM
I
FAVM
0 2550751001251500 100 200 300
0
100
200
300
400
500
W
P
tot
一个
°C
R
thKA
k/w
0 25 50 75 100 125 1500 200 400 600
0
500
1000
1500
2000
°C
0.1
0.2
0.3
0.4
0.6
0.8
1.0
80 % v
RRM
T
VJ
= 45°c
50 hz
T
VJ
= 130°c
T
VJ
= 45°c
T
VJ
= 130°c
一个
R
thKA
k/w
0.03
0.06
0.1
0.15
0.2
0.3
0.4
电路
B6
3xMCD255
3xmcc255 或者
180
°
sin
120
°
60
°
30
°
直流
180
°
sin
120
°
60
°
30
°
直流
mcc 255
mcd 255
图. 3 surge 超载 电流
I
TSM
, i
FSM
: crest 值, t: 持续时间
图. 4
i
2
dt 相比 时间 (1-10 ms) 图. 4a 最大 向前 电流
在 情况 温度
图. 5 电源 消耗 相比 在-
状态 电流 和 包围的
温度 (每 thyristor 或者
二极管)
图. 6 三 阶段 整流器 桥:
电源 消耗 相比 直接
输出 电流 和 包围的
温度