MCR25N_集成电路资料查询网

mcr25d, mcr25m, mcr25n
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3
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche 区域
anode –
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
图示 1. 典型 门 触发 电流 相比
接合面 温度
图示 2. 典型 门 触发 电压 相比
接合面 温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
40
35
30
25
20
15
10
1251105035205–10–25–40
, 门 触发 电流 (毫安)
5
0
958065
I
GT
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
1251105035205–10–25–40
, 门 触发 电压 (v)
0.3
0.2
958065
V
GT

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mcr25d, mcr25m, mcr25n http://onsemi.com 3 + 电流 + 电压 V TM I DRM 在 v DRM I H 标识参数 V DRM 顶峰 repetitive 止状态向前电压 I DRM 顶峰向前 blocking 电流 V RRM 顶峰 repetitive 止状态反转电压 I RRM 顶峰反转 blocking 电流 V TM 顶峰在状态电压 I H 支持电流电压电流典型的的 scr anode + 在状态反转 blocking 区域 (止状态) 反转 avalanche 区域 anode – 向前 blocking 区域 I RRM 在 v RRM (止状态) 图示 1. 典型门触发电流相比接合面温度图示 2. 典型门触发电压相比接合面温度 T J , 接合面温度 ( ° c) 40 35 30 25 20 15 10 1251105035205–10–25–40 , 门触发电流 (毫安) 5 0 958065 I GT T J , 接合面温度 ( ° c) 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 1251105035205–10–25–40 , 门触发电压 (v) 0.3 0.2 958065 V GT

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