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资料编号:477651
 
资料名称:MCR69-2
 
文件大小: 76.23K
   
说明
 
介绍:
SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mcr69–2, mcr69–3
http://onsemi.com
3
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche 区域
anode –
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
normalized 顶峰 电流
0.8
25
0
0.2
0.4
0.6
1.0
50 75 100 125
T
C
, 情况 温度 (
°
c)
图示 1. 顶峰 电容 释放 电流 图示 2. 顶峰 电容 释放 电流
减额
图示 3. 电流 减额 图示 4. 最大 电源 消耗
i , 顶峰 释放 电流 (放大器)
TM
300
20
50
100
200
20
1000
0.5 50
t
w
, 脉冲波 电流 持续时间 (ms)
2.01.0
t
w
t
w
= 5 时间 constants
I
TM
105.0
T,最大 alloWABLE
C
情况 温度 ( c)
°
16 20124.0 8.0
直流
half 波
75
80
85
90
95
100
105
110
115
120
125
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
p , 平均 电源 消耗 (watts)
(av)
16128.04.00
24
16
8.0
32
0
20
half 波
直流
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
T
J
= 125
°
C
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