半导体 组件 industries, llc, 2000
将, 2000 – rev. 3
1
发行 顺序 号码:
mcr08bt1/d
mcr08b, MCR08M
preferred 设备
敏感的 门
硅 控制 整流器
反转 blocking thyristors
pnpn 设备 设计 为 线条 powered 消费者 产品
此类 作 接转 和 lamp 驱动器, 小 发动机 控制, 门 驱动器 为
大 thyristors, 和 感觉到 和 发现 电路. 有提供的 在
表面 挂载 包装 为 使用 在 automated 制造.
•
敏感的 门 触发 电流
•
blocking 电压 至 600 伏特
•
glass 钝化的 表面 为 可靠性 和 统一
•
表面 挂载 包装
•
设备 标记: mcr08bt1: cr08b; mcr08mt1: cr08m, 和
日期 代号
最大 比率
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
顶峰 repetitive off–state 电压
(1)
(sine 波, r
GK
= 1000
Ω
,
T
J
= 25 至 110
°
c)
MCR08BT1
MCR08MT1
V
drm,
V
RRM
200
600
伏特
在-状态 电流 rms
(所有 传导 angles; t
C
= 80
°
c)
I
t(rms)
0.8 放大器
顶峰 非-repetitive surge 电流
(1/2 循环 sine 波, 60 hz,
T
C
= 25
°
c)
I
TSM
8.0 放大器
电路 fusing 仔细考虑
(t = 8.3 ms)
I
2
t 0.4 一个
2
s
向前 顶峰 门 电源
(t
C
= 80
°
c, t = 1.0
µ
s)
P
GM
0.1 Watts
平均 门 电源
(t
C
= 80
°
c, t = 8.3 ms)
P
g(av)
0.01 Watts
运行 接合面 温度 范围 T
J
–40 至
+110
°
C
存储 温度 范围 T
stg
–40 至
+150
°
C
(1) V
DRM
和 v
RRM
为 所有 类型 能 是 应用 在 一个 持续的 基准. 比率
应用 为 零 或者 负的 门 电压; 不管怎样, 积极的 门 电压 将要
不 是 应用 concurrent 和 负的 潜在的 在 这 anode. blocking
电压 将要 不 是 测试 和 一个 常量 源 此类 那 这 电压
比率 的 这 设备 是 超过.
SCRs
0.8 amperes rms
200 thru 600 伏特
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
设备 包装 Shipping
订货 信息
MCR08BT1 SOT223 16mm 录音带 和 卷轴
(1k/卷轴)
MCR08MT1 SOT223
http://onsemi.com
16mm 录音带 和 卷轴
(1k/卷轴)
K
G
一个
SOT–223
情况 318e
样式 10
4
1
2
3
管脚 分派
1
2
3
Anode
门
Cathode
4
Anode
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