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修订 17-8月-01
2
–
56
mct2/mct2e—characteristics
T
一个
=25
°
C
mct270 通过 mct277—characteristics
T
一个
=25
°
C
发射级 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
向前 电压
V
F
—
1.1 1.5 V
I
F
=20 毫安
反转 电流
I
R
——
10
µ
一个
V
R
=3.0 v
电容
C
O
—
25
—
pF
V
R
=0, f=1.0 mhz
探测器
损坏 电压 集电级-发射级 BV
CEO
30
——
V
I
C
=1.0 毫安,
I
F
=0 毫安
发射级-集电级 BV
ECO
7.0
——
I
E
=100
µ
一个,
I
F
=0 毫安
集电级-根基 BV
CBO
70
——
I
C
=10
µ
一个,
I
F
=0 毫安
泄漏 电流 集电级-发射级
I
CBO
—
5.0 50 nA
V
C
E
=10 v,
I
F
=0
集电级-根基
I
CBO
——
20
—
电容, 集电级-发射级
—
C
CE
—
10
—
pF
V
CE
=0
包装
直流 电流 转移 比率 CTR 20 60
—
%
V
CE
=10 v,
I
F
=10 毫安
电容, 输入 至 输出
C
I
O
—
0.5
—
pF
—
阻抗, 输入 至 输出
R
IO
—
100
—
G
Ω
—
切换 时间
t
在
,
t
止
—
3.0
—
µs
I
C
=2.0 毫安,
R
L
=100
Ω,
V
CE
=10 v
发射级 标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
向前 电压
V
F
——
1.5 V
I
F
=20 毫安
反转 电流
I
R
——
10
µ
一个
V
R
=3.0 v
电容
C
O
—
25
—
pF
V
R
=0, f=1.0 mhz
探测器
损坏 电压 集电级-发射级 BV
CEO
30
——
V
I
C
=10
µ
一个,
I
F
=0 毫安
发射级-集电级 BV
ECO
7.0
——
I
E
=10
µ
一个,
I
F
=0 毫安
集电级-根基 BV
CBO
70
———
I
C
=10
µ
一个,
I
F
=0 毫安
泄漏 电流, 集电级-发射级
I
CEO
——
50 nA
V
CE
=10 v,
I
F
=0 毫安
包装
直流 电流 转移 比率 MCT270 CTR 50
——
%
V
CE
=10 v,
I
F
=10 毫安
MCT271 45
—
90
MCT272 75
—
150
MCT273 125
—
250
MCT274 225
—
400
MCT275 70
—
210
MCT276 15
—
60
MCT277 100
——
电流 转移 比率, 集电级
–
发射级 MCT271
–
276 CTR
CE
12.5
——
%
V
CE
=0.4 v,
I
F
=16 毫安
MCT277 40
——
—
集电级
–
发射级 饱和 电压
V
CE
sat
——
0.4
V
I
CE
=2.0 毫安,
I
F
=16 毫安
电容, 输入 至 输出
C
IO
—
0.5
—
pF
—
阻抗, 输入 至 输出
R
IO
—
10
12
—
Ω
V
IO
=500 vdc
切换 时间 mct270/272
t
在
,
t
止
——
10
µ
s
I
C
=2.0 毫安,
R
L
=100
Ω
,
V
CE
=5.0 v
MCT271
——
7.0
MCT273
——
20
MCT274
——
25
mct275/277
——
15
MCT276
——
3.5
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