mct6h/ mct62h
vishay telefunken
rev. a1, 11–jan–99 205
典型 特性
(t
amb
= 25
_
c, 除非 否则 指定)
0
50
100
150
200
250
300
0 40 80 120
p – 总的 电源 消耗 ( mw )
T
amb
– 包围的 温度 (
°
c)
96 11700
tot
结合 设备
Phototransistor
ir-二极管
图示 3. 总的 电源 消耗 vs.
包围的 温度
0.1
1.0
10.0
100.0
1000.0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
V
F
– 向前 电压 ( v )
96 11862
F
i – 向前 电流 ( 毫安 )
图示 4. 向前 电流 vs. 向前 电压
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
–30 –20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
T
amb
– 包围的 温度 (
°
C
)
96 11927
ctr – 相关的 电流 转移 比率
rel
V
CE
=5V
I
F
=5mA
图示 5. 相关的 电流 转移 比率 vs.
包围的 温度
1
10
100
1000
10000
0 102030405060708090100
T
amb
– 包围的 温度 (
°
C
)
96 11928
i – 集电级 dark 电流,
CEO
和 打开 根基 ( na )
V
CE
=20V
I
F
=0
图示 6. 集电级 dark 电流 vs.
包围的 温度
0.01
0.10
1.00
10.00
100.00
0.1 1.0 10.0 100.0
I
F
– 向前 电流 ( 毫安 )
96 11929
V
CE
=5V
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
图示 7. 集电级 电流 vs. 向前 电流
0.1
1.0
10.0
100.0
0.1 1.0 10.0 100.0
V
CE
– 集电级 发射级 电压 ( v
)
96 11930
i – 集电级 电流 ( 毫安 )
C
20mA
10mA
5mA
2mA
1mA
I
F
=50mA
图示 8. 集电级 电流 vs. 集电级 发射级 电压
: 点此下载
