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资料编号:479697
 
资料名称:MG150J7KS50
 
文件大小: 119.22K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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MG150J7KS50
2001-08-16
3
brake 平台
最大 比率
(ta = 25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 v
门-发射级 电压 V
GES
±20 v
反转 电压 V
R
600 v
直流 i
C
50
集电级 电流
1ms i
CP
100
一个
直流 i
F
50
向前 电流
1ms i
FM
100
一个
集电级 电源 消耗 (tc = 25°c) P
C
120 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
40 ~ 125 °C
分开 电压 V
Isol
2500
(交流 1 最小值.)
V
screw torque (终端 / 挂载)
3 / 3 n·m
电的 特性
(ta = 25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= ±20v, v
CE
= 0v
±500 nA
集电级-发射级 截-止 电流 I
CES
V
CE
= 600v, v
GE
= 0v
1.0 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
V
CE
= 5v, i
C
= 5ma, 5.0
8.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
= 50a, v
GE
= 15v
2.0 2.5 V
输入 电容 C
ies
V
CE
= 10v, v
GE
= 0v, f = 1mhz
4.0
nF
反转 电流 I
R
V
R
= 600v
1.0 毫安
向前 电压 V
F
I
F
= 150a
2.2 2.8 V
上升 时间 t
r
0.08 0.16
转变-在 时间 t
0.10 0.20
下降 时间 t
f
0.22 0.44
转变-止 时间 t
0.50 1.00
切换 时间
反转 恢复 时间 trr
inductive 加载
V
CC
= 300v
I
C
= 50a
V
GE
= ±15v
R
G
= 24
(便条 1)
0.23 0.35
µs
晶体管 平台
1.04
R
th (j-c)
二极管 平台
2.00
热的 阻抗
R
th (c-f)
情况 至 fin (便条 2)
0.05
°c / w
便条 2: silicone grease 是 应用.
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