MG200J6ES60
2002-01-24
3
最大 比率
(ta
25°c)
平台 特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
600 v
门-发射级 电压 V
GES
20 v
直流 i
C
200
集电级 电流
1 ms I
CP
400
一个
直流 i
F
200
向前 电流
1 ms I
FM
400
一个
反相器
集电级 电源 消耗 (tc
25°c) P
C
1000 w
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
40~125 °c
分开 电压 V
isol
2500 (交流 1 最小值) V
单元
screw torque
3 (m5) N
･
m
电的 特性
(t
j
25°c)
1. 反相器 平台
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
20 v, v
CE
0
500 nA
集电级 截-止 电流 I
CES
V
CE
600 v, v
GE
0
1.0 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
V
CE
5 v, i
C
200 毫安 5.0 6.5 8.0 V
T
j
25°C
1.6 2.2
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
V
GE
15 v,
I
C
200 一个
T
j
125°C
2.2
V
输入 电容 C
ies
V
CE
10 v, v
GE
0, f
1 mhz
33000
pF
转变-在 延迟 时间 t
d (在)
1.00
转变-止 时间 t
止
1.20
切换 时间
下降 时间 t
f
0.50
反转 恢复 时间 t
rr
V
CC
300 v, i
C
200 一个
V
GE
15 v, r
G
10
(便条 1)
0.30
s
向前 电压 V
F
I
F
200 一个
1.7 2.3 V
便条 1: 切换 时间 测试 电路 &放大; 定时 chart
2. 单元
(tc
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
零-电源 阻抗 R25 ITM
0.2 毫安
100
k
b 值 b25/85 Tc
25°c/tc
85°C
4390
K
反相器 igbt 平台
0.125
接合面 至 情况 热的 阻抗 R
th (j-c)
反相器 frd 平台
0.195
°c/w
情况 至 fin 热的 阻抗 R
th (c-f)
0.05
°c/w
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