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资料编号：479835
 
资料名称：MG400Q2YS60A
 
文件大小： 200.52K
   
说明：
 
介绍:
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
 
 


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MG400Q2YS60A
2002-09-06
6
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流 i
C
(一个)
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
I
C
– v
CE
集电级 电流 i
C
(一个)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
V
CE
– v
GE
集电级-发射级 电压 V
CE
(v)
门-发射级 电压 v
GE
(v)
V
CE
– v
GE
门-发射级 电压 v
GE
(v)
V
CE
– v
GE
门-发射级 电压 v
GE
(v)
I
C
– v
GE
集电级 电流 i
C
(一个)
0
0 1 5
400
600
2 3 4
200
800
8 v
一般 发射级
T
j
25°C
V
GE
20 v
12 v
15 v
9 v
10 v
0
0 1 5
400
600
2 3 4
200
800
V
GE
20 v
15 v
一般 发射级
T
j
125°C
12 v
10 v
9 v
8 v
0
0 5 10 15 20
2
4
6
8
10
12
I
C
800 一个
一般 发射级
T
j
25°C
400 一个
200 一个
0
0 5 10 15 20
2
4
6
8
10
12
I
C
800 一个
一般 发射级
T
j
125°C
400 一个
200 一个
0
0 5 10 15 20
2
4
6
8
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I
C
800 一个
一般 发射级
T
j
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400 一个
200 一个
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0 4 8 12
200
400
800
600
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T
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125°C
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一般 发射级
V
CE
5 v
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