MIC2196 Micrel
MIC2196 10 8月 2004
一个 最小 1
µ
f 陶瓷的 电容 是 必需的 至 分离 这
V
在
. 这 电容 应当 是 放置 near 这 ic 和 con-
nected 直接地 在 管脚 8 (vcc) 和 6 (地). 为 v
在
更好 比 8v, 使用 一个 4.7
µ
f 或者 一个 10
µ
f 陶瓷的 电容 至
分离 这 vdd 管脚.
效率 计算 和 仔细考虑
效率 是 这 比率 的 输出 电源 至 输入 电源. 这
区别 是 dissipated 作 热温 在 这 boost 转换器. 这
重大的 contributors 在 明亮的 输出 负载 是:
•
这 vin 管脚 供应 电流 这个 包含 这
电流 必需的 至 转变 这 外部
mosfets.
•
核心 losses 在 这 inductor.
至 maximize 效率 在 明亮的 负载:
•
使用 一个 低 门 承担 场效应晶体管 或者 使用 这
smallest 场效应晶体管, 这个 是 安静的 足够的 为 这
最大 输出 电流.
•
使用 一个 ferrite 材料 为 这 inductor 核心, 这个
有 较少 核心 丧失 比 一个 mpp 或者 iron 电源
核心.
这 重大的 contributors 至 电源 丧失 在 高等级的 输出
负载 是 (在 近似的 顺序 的 巨大):
•
resistive 在-时间 losses 在 这 场效应晶体管
•
切换 转变 losses 在 这 场效应晶体管
•
inductor resistive losses
•
电流 sense 电阻 losses
•
输出 电容 resistive losses (预定的 至 这
电容
’
s 等效串联电阻)
至 降低 电源 丧失 下面 重的 负载:
•
使用 逻辑 水平的, 低 在 阻抗 mosfets.
乘以 这 门 承担 用 这 在-阻抗
给 一个 图示 的 merit, 供应 一个 好的 balance
在 切换 和 resistive 电源 dissipa-
tion.
•
慢 转变 时间 和 振动 在 这
电压 和 电流 波形 dissipate 更多
电源 在 这 转变-在 和 转变-止 的 这 低
一侧 场效应晶体管. 一个 clean 布局 将 降低
parasitic 电感 和 电容 在 这 门
驱动 和 高 电流 paths. 这个 将 准许 这
fastest 转变 时间 和 波形 没有
振动. 低 门 承担 mosfets 将
转变 faster 比 那些 和 高等级的 门 承担
规格.
•
为 这 一样 大小 inductor, 一个 更小的 值 将
有 更少的 转变 和 因此, 更小的 winding
阻抗. 不管怎样, 使用 too 小 的 一个 值
将 增加 这 inductor 电流 和 因此
需要 更多 输出 电容 至 过滤 这 输出
波纹.
•
lowering 这 电流 sense 电阻 值 将
decrease 这 电源 dissipated 在 这 电阻.
不管怎样, 它 将 也 增加 这 overcurrent
限制 和 将 需要 大 mosfets 和
inductor 组件 至 handle 这 高等级的
电流.
•
使用 低 等效串联电阻 输出 电容 至 降低 这
电源 dissipated 在 这 电容
’
s 等效串联电阻.
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