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资料编号:482303
 
资料名称:MJD200T4
 
文件大小: 236.97K
   
说明
 
介绍:
SILICON POWER TRANSISTORS 5 AMPERES 25 VOLTS 12.5 WATTS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MJD200 MJD210
4
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
t, 时间 (ms)
0.01
0.02 0.05 1 2 5 10 20 50 100 2000.1 0.50.2
1
0.2
0.1
0.05
r(t), 瞬时 热的
R
θ
JC
(t) = r(t)
θ
JC
R
θ
JC
= 10
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
0.2
0 (单独的 脉冲波)
阻抗 (normalized)
图示 8. 热的 回馈
0.5
d = 0.5
0.05
0.3
0.7
0.07
0.03
0.02
0.1
0.02
0.01
10
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
0.01
30
2
5
0.1
使牢固结合 线 限制
thermally 限制 @ t
C
= 25
°
C
(单独的 脉冲波)
第二 损坏 限制
曲线 应用 在下
评估 v
CEO
图示 9. 起作用的 区域 safe 运行 范围
500
µ
s
直流
1
3
1 ms
2010753210.3
100
µ
s
T
J
= 150
°
C
I
C
, 集电级 电流 (放大)
5 ms
那里是 二 限制 在 这电源 处理 能力 的 一个
晶体管:平均 接合面 温度 和 第二 破裂-
向下.safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的
晶体管 那 必须 是 observed 为 可依靠的
i.e.,这 晶体管 必须 不是 subjected 至 更好 dissipa-
tion 比 这 曲线 表明.
数据 的 图示 9 是 为基础 在 t
j(pk)
= 150
_
c; t
C
能变的取决于 在 情况. 第二 损坏脉冲波
限制一个re valid for duty cycles to 10% provided t
J(pk)
v
150
_
c.T
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图-
ure 8.在 高 情况 温度, 热的限制 将 re-
duce 这 电源 那 能 是 处理 至较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
情况369–05 将 是 ordered 用 adding 一个 “–1” suffix 至 这
设备 标题 (i.e. mjd200–1)
200
V
R
, 反转 电压 (伏特)
20
40
70
100
30
图示 10. 电容
50
201064210.4
c, 电容 (pf)
0.6
T
J
= 25
°
C
mjd200 (npn)
mjd210 (pnp)
C
ob
C
ib
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