©2001 仙童 半导体 公司
MJD210
rev. a2, 六月 2001
典型 特性
图示 1. 直流 电流 增益 图示 2. 根基-发射级 饱和 电压
集电级-发射级 饱和 电压
图示 3. 集电级 输出 电容 图示 4. 转变 在 时间
图示 5. 转变 止 时间 图示 6. safe 运行 范围
-0.01 -0.1 -1 -10
1
10
100
1000
V
CE
=-1v
V
CE
=-2v
h
FE
, 直流 电流 增益
I
C
[a], 集电级 电流
-0.01 -0.1 -1 -10
-0.01
-0.1
-1
-10
I
C
=10I
B
V
是
(sat)
V
CE
(sat)
V
CE
(sat),v
是
(sat)[v], 饱和 电压
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100
1
10
100
1000
C
ob
[pf], 电容
V
CB
[v], 集电级 根基 电压
-0.01 -0.1 -1 -10
0.01
0.1
1
10
t
D
t
R
V
CC
=-30v
I
C
=10I
B
t
R
,t
D
[ns], 转变 在 时间
I
C
[a], 集电级 电流
-0.01 -0.1 -1 -10
10
100
1000
t
F
t
STG
V
CC
=-30v
I
C
=10I
B
I
B1
=I
B2
t
STG
,t
F
[ns], 转变 止 时间
I
C
[a], 集电级 电流
-0.1 -1 -10 -100
-0.01
-0.1
-1
-10
-100
直流
5ms
1ms
500
µ
s
100m
σ
I
C
[a], 集电级 电流
V
CE
[v], 集电级-发射级 电压