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资料编号:482398
 
资料名称:MJD31C
 
文件大小: 49.27K
   
说明
 
介绍:
General Purpose Amplifier Low Speed Switching Applications
 
 


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mjd31,c mjd32,c
4
motorola 双极 电源 晶体管 设备 数据
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
5
I
B
, 根基 电流 (毫安)
10 20
1.2
0.4
0
50 100 200 500
2
0.8
T
J
= 25
°
C
1.6
21
I
C
= 0.3 一个
1000
图示 7. 集电级 饱和 区域
300
V
R
, 反转 电压 (伏特)
电容 (pf)
C
eb
0.1
200
100
0.5 1 10 40
T
J
= + 25
°
C
t, 时间 (ms)
1
0.01
1 k
0.3
0.2
0.07
r(t), 瞬时 热的 阻抗 (normalized)
R
θ
jc(t)
= r(t) r
θ
JC
R
θ
JC
= 8.33
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
θ
jc(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
单独的 脉冲波
0.01
图示 8. 电容
0.7
d = 0.5
图示 9. 热的 回馈
1 一个 3 一个
70
50
30
0.2 0.3 2 3 5 20 30
C
cb
0.5
0.1
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03 0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1 2 3 5 10 20 30 50 100 200 300 500
0.2
0.1
0.05
0.01
I
C
, 集电级 电流 (放大器)
10
1.5
V
CE
, collector–emitter 电压 (伏特)
0.01
3 150
1
0.3
0.2
3
0.05
0.03
线 bond 限制
热的 限制
第二 损坏 限制
5 7 20 7010
T
C
= 25
°
c 单独的 脉冲波
T
J
= 150
°
C
100
µ
s
1 ms
直流
2
0.02
0.1
0.5
2
5
图示 10. 起作用的 区域 safe 运行 范围
5030 100
曲线 应用 在下 评估 v
CEO
500
µ
s
mjd31, mjd32
mjd31c, mjd32c
那里是 二 限制 在 这电源 处理 能力 的 一个
晶体管:平均 接合面 温度 和 第二 破裂-
向下.safe 运行 范围 曲线 表明 i
C
– v
CE
限制 的
i.e.,这 晶体管 必须 不是 subjected 至 更好 dissipa-
tion 比 这 曲线 表明.
数据 的 图示 10 是 为基础 在 t
j(pk)
=150
_
c; t
C
能变的 取决于 在 情况. 第二 损坏 脉冲波
限制一个re valid for duty cycles to 10% provided t
J(pk)
v
150
_
c.T
j(pk)
将 是 计算 从 这 数据 在 图-
ure 9.在 高 情况 温度, 热的限制 将 re-
duce 这 电源 那 能 是 处理 至较少 比 这
限制 imposed 用 第二 损坏.
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