MITSUMI
保护 的 lithium ion batteries (二 cells 在 序列) mm1292
cs-地 电压 模式 延迟 时间
在下 v
CS
正常的 模式
-
V
CS
~VF
overcurrent 模式 (正常的)
t
OC
1
在之上 vf
overcurrent 模式 (短的)
t
OC
2
(vf : 电压 在 建造-在 npn-tr 和 根基 发射级)
当 这 cell 电压 的 也 这 h 或者 l cell 超过 v
ALM
, 一个 overcharge 发现 信号 是 输出 至 这
数据 intake 部分, 和 一个 重置 信号 是 prohibited 从 going 至 这 数据 处理 部分.
当 更多 比 二 consecutive clocks 的 这 excess charging 发现 信号 是 输入 至 这 数据 intake
部分, 一个 determination 是 制造 那 这 overcharging 发现 信号 有 被 合适的 输入, 和 它 是
输出 至 这 next 平台. 这个 阻止 噪音 和 mistaken determinations 的 overcharging 造成 用 excess
cell 电压 fluctuation.
当 这 日期 intake 部分 输出 这 overcharging 发现 信号, 这 数据 承担 部分 变得 在
运作. 当 更多 比 二 clocks 的 overcharging 信号 是 输入, 这个 activates 这 获得 在 这
overcharging 信号.
当 这 overcharging 信号 获得 在 这 日期 获得 部分 是 使活动, 这 next 非-入门 时间 电路
变得 在 运作. 当 这个 运作, 这 td 管脚 是 charged 用 常量 电流 (itc). 这 td 管脚 潜在的
和 这 门槛 值 (vtc) 是 对照的 用 这 非-入门 时间 电路 比较器. 当 td 管脚
电压 超过 vtc, 这 oc 管脚 输出 平台 变为 operable 和 oc 管脚 输出 pnp-tr (打开 集电级)
是 切换 在. 也, 偏差 电流 是 有提供的 至 这 定时 一代 电路 和 这 运作 的 这
overcharging 发现 电路 是 maintained.
当 释放 occurs 在 overcharge 模式 (地 < ds 管脚), 这 释放 发现 电路 charges 这
td 管脚 和 非-入门 时间 是 重置.
当 cell 电压 falls 在下 v
ALM
和 这 overcharging 发现 电路 信号 是 止, 这 重置 prohibition 是
lifted. 这 重置 信号 是 sent 至 这 数据 intake 和 数据 获得 sections 和 这 非-入门 时间 电路,
和 正常的 模式 是 reinstated.
一个 二极管 是 建造 在 在 这 oc 管脚 和 地. 当 oc 管脚 潜在的 falls 在下 地 终端 vf, 电流
flows 从 这 oc 管脚.
因此, 当 电池 包装 电压 <<charging 电压 (charging 设备), charging 是 立即
prohibited. (一代 情况 为 这 在之上 模式 相异 取决于 在 这 外部 常量.)
3. overcurrent 发现 电路
这 overcurrent 发现 电路 运作 在 overcharging. 加载 电流 发现 电流 流 在 场效应晶体管
equivalently, 用 monitoring 这 电压 在 释放 控制 场效应晶体管 流 来源 使用 这 电压
在 cs-地. (monitoring 的 电压 漏出 使用 场效应晶体管 在 电阻 加载 电流.)
那里 是 二 模式 为 overcurrent 发现 : 这 正常的 模式 和 这 短的 模式.
在 正常的 模式, 当 电压 在 cs-地 是 equal 至 那 在 v
CS
-vf, overcharging 发现
输出 在 这个 时间 是 输入 至 这 内部的 延迟 电路. 当 overcurrent 发现 持续 为 变长 比
overcurrent 延迟 时间 1 (toc1), overcurrent 模式 是 使活动, 和 gd 管脚 输出 变得 l. (释放 控制
场效应晶体管 在)
在 短的 模式, 当 这 电压 在 cs-地 超过 vf, 这 overcurrent 模式 运作 没有 going
通过 这 延迟 电路. 这 延迟 时间 是 决定 用 这 内部的 电路 运行 速 (overcurrent
延迟 时间 2 [toc2], 所以 这 流动 的 overcurrent 至 这 释放 控制 场效应晶体管 是 为 一个 短的 持续时间, 限制的
压力 在 这 场效应晶体管.)
这 vf 有 一个 温度 因素 的-2mv/(c, 所以 这 切换 水平的 在 正常的 和 短的 模式 varies
和 这 包围的 温度.
这 overcurrent 发现 电压 (v
CS
) 是 fixed, 所以 这 电流 值 为 overcurrent 发现 改变
符合 至 释放 控制 场效应晶体管 在 阻抗. 因此, 选择 一个 场效应晶体管 那 遵从 至 这 发现
电流. 场效应晶体管 在 阻抗 是 高级地 敏感的 至 温度, 预定的 至 overcurrent 发现 电压, 和 这
发现 电流 改变 预定的 至 场效应晶体管 热温 emission 结果 从 包围的 温度 和 加载 电流. 在
增加, 用户 应当 是 知道 那 场效应晶体管 在 阻抗 也 改变 预定的 至 这 电压 在 场效应晶体管 门
来源. (在 阻抗 rises 当 这 电压 在 门 来源 falls.)
加载 释放 resets 从 overcurrent 模式.
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