半导体 组件 industries, llc, 2004
十一月, 2004 − rev. 10
1
发行 顺序 号码:
mm3z2v4st1/d
mm3z2v4st1 序列
齐纳 电压 regulators
200 mw sod−323 表面 挂载
tight 容忍 portfolio
这个 序列 的 齐纳 二极管 是 packaged 在 一个 sod−323 表面
挂载 包装 那 有 一个 电源 消耗 的 200 mw. 它们 是
设计 至 提供 电压 规章制度 保护 和 是 特别
attractive 在 situations 在哪里 空间 是 在 一个 premium. 它们 是 好
suited 为 产品 此类 作 cellular phones, hand−held portables,
和 高 密度 pc boards.
规格 特性:
•
标准 齐纳 损坏 电压 范围 −
2.4 v 至 18 v
•
稳步的 状态 电源 比率 的 200 mw
•
小 身体 外形 维度:
0.067
″
x 0.049
″
(1.7 mm x 1.25 mm)
•
低 身体 height: 0.035
″
(0.9 mm)
•
包装 重量: 4.507 mg/单位
•
静电释放 比率 的 类 3 (>16 kv) 每 人 身体 模型
•
tight 容忍 v
Z
•
pb−free 包装 是 有
机械的 特性:
情况:
void-自由, 转移-模塑的 塑料
完成:
所有 外部 surfaces 是 corrosion resistant
最大 情况 温度 为 焊接 目的:
260
°
c 为 10 秒
leads:
镀有 和 pb−sn 或者 sn 仅有的 (pb−free)
极性:
cathode 表明 用 极性 带宽
flammability 比率:
ul 94 v−0
挂载 位置:
任何
最大 比率
比率 标识 最大值 单位
总的 设备 消耗 fr−5 板,
(便条 1) @ t
一个
= 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
P
D
200
1.5
mW
mw/
°
C
热的 阻抗 从
Junction−to−Ambient
R
JA
635
°
c/w
接合面 和 存储
温度 范围
T
J
, t
stg
−65 至 +150
°
C
最大 比率 是 那些 值 在之外 这个 设备 损坏 能 出现.
最大 比率 应用 至 这 设备 是 单独的 压力 限制 值 (不
正常的 运行 情况) 和 是 不 有效的 同时发生地. 如果 这些 限制 是
超过, 设备 函数的 运作 是 不 暗指, 损坏 将 出现 和
可靠性 将 是 影响.
1. fr−4 最小 垫子.
设备 包装 Shipping
†
订货 信息
SOD−323
情况 477
样式 1
1
Cathode
2
Anode
MM3ZxxxST1 SOD−323 3000/录音带 &放大; 卷轴
标记
图解
看 明确的 标记 信息 在 这 设备 标记
column 的 这 电的 特性 表格 在 页 2 的
这个 数据 薄板.
设备 标记 信息
xx = 明确的 设备 代号
M = 日期 代号
xx m
†for 信息 在 录音带 和 卷轴 规格,
包含 部分 方向 和 录音带 sizes, 请
谈及 至我们的 tape 和 卷轴 包装 规格
brochure, brd8011/d.
http://onsemi.com
MM3ZxxxST3 SOD−323 10,000/录音带 &放大; 卷轴
MM3ZxxxST1G SOD−323
(pb−free)
3000/录音带 &放大; 卷轴
MM3ZxxxST3G SOD−323
(pb−free)
10,000/录音带 &放大; 卷轴
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