mm3z2v4st1 序列
http://onsemi.com
3
典型 特性
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压
图示 1. 效应 的 齐纳 电压 在
齐纳 阻抗
103.0
Z
ZT
, 动态 阻抗 ( )
Ω
1000
100
10
1.0
T
J
= 25
°
C
I
z(交流)
= 0.1 i
z(直流)
f = 1 khz
I
Z
= 1 毫安
5 毫安
V
F
, 向前 电压 (v)
图示 2. 典型 向前 电压
1.21.11.00.90.80.70.60.50.4
I
F
, 向前 电流 (毫安)
1000
100
10
1.0
150
°
C
75
°
C 25
°
C 0
°
C
c, 电容 (pf)
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 3. 典型 电容
1000
100
10
1.0
104.0
偏差 在
50% 的 v
Z
NOM
T
一个
= 25
°
C
0 v 偏差
1 v 偏差
I
R
, 泄漏 电流 ( 一个)
µ
V
Z
, 名义上的 齐纳 电压 (v)
图示 4. 典型 泄漏 电流
1000
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
0.0001
0.00001
105.00
+150
°
C
+25
°
C
−55
°
C
V
Z
, 齐纳 电压 (v)
100
10
1.0
0.1
0.01
108.06.04.02.00
T
一个
= 25
°
C
I
Z
, 齐纳 电流 (毫安)
图示 5. 齐纳 电压 相比 齐纳 电流
(v
Z
向上 至 9 v)
温度 (
°
c)
250
100
40
20
0
电源 消耗 (%)
50 75 100 125 150
80
60
图示 6. 稳步的 状态 电源 减额