MMDF2N02E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比
gate–to–source 电压
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏 电流
相比 电压
0 0.25 0.75 1.5 2
0
1
3
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
4
2
T
J
= 25
°
C
2.7 v
0.5
1.751.251
5
6
2.5 v
2.9 v
3.1 v
3.3 v
3.5 v
3.7 v
4.5 v
4.3 v
3.9 v
4.1 v
V
GS
= 10 v
7
0
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
V
DS
≥
10 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
2
4
6
5
1
2 2.5 3 3.5 4
3
7
1.5
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0.4
0.5
0.6
0.3
0.1
0.2
0
2 3 4 5 86 7
9 10
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
I
D
= 3.5 一个
T
J
= 25
°
C
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0
I
D
, 流 电流 (放大器)
0.15
0 1 2 5 6
0.05
0.1
3 4
10 v
V
GS
= 4.5
T
J
= 25
°
C
7
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (normalized)
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 50 0 50 100 150
0
0.5
1.0
1.5
2.0
V
GS
= 10 v
I
D
= 3.5 一个
1257525– 25
I
DSS
, 泄漏 (na)
1
100
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
10
5 10 15 20
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
100
°
C
1000
10000
25
°
C
25
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