MMDF3N03HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
safe 运行 范围
这向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这maximum simultaneous drain–to–source voltage一个nd
流电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是 为-
ward片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰 junc-
tion温度 和 一个 情况 温度 (t
C
)的 25
°
c. 顶峰
repetitive搏动 电源 限制 是 决定 用 使用 这
热的回馈 数据 在 conjunction 和 这程序
discussed在 an569, “transient 热的 阻抗 – gen-
eral 数据 和 它的 使用.”
切换在 这 的f–state 和 这 on–state 将 tra-
verse任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流 (i
DM
)
也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过, 和 那 这 转变
时间 (t
r
, t
f
) 做 不 超过 10
µ
s. 在 增加这 总的 电源
averaged在 一个 完全 切换 循环 必须 不 超过
(t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
一个电源 场效应晶体管 designated e–fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和unclamped inductive 负载. 为 reli-
能 运作,这 贮存 活力 从 电路 电感 dis-
sipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少 比
这评估 限制 和 必须 是 调整 为 运行 情况
differing从 那些 指定.虽然 工业 实践 是 至
比率在 条款 的活力, avalanche 活力 能力 是 不 一个
常量.这 活力 比率 减少 non–linearly 和一个
增加的 顶峰 电流 在 avalanche 和 顶峰 接合面 tem-
perature.
虽然 许多 e–fets 能 承受 这 压力 的 drain–
to–sourceavalanche 在 电流 向上 至 评估 搏动 电流
(i
DM
), 这 活力 比率 是 指定 在 评估 持续的 cur-
rent(i
D
), 在 一致 和 工业 custom.这 活力 rat-
ingmust be der一个ted for temper一个ture 一个s shown in the
accompanying graph (Figure 9). maximum energy 一个t cur-
rents在下 评估 持续的 i
D
能 safely 是 assumed 至
equal 这 值 表明.
图示 8. 电容 变化
c, 电容 (pf)
gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
t, 时间 (ns)
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1000
1 10010
1
I
S
, 源 电流 (放大器)
V
SD
, source–to–drain 电压 (伏特)
1.0
1.5
2.0
3.0
2.5
0.5 0.55
0
0 2 4 6 8
I
D
= 3 一个
T
J
= 25
°
C
V
GS
6
3
0
12
9
24
18
12
6
0
V
DS
QT
Q1
Q2
Q3
10 12
10 0 10 15 25
V
GS
V
DS
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 v
V
GS
= 0 v
1000
800
600
400
200
0
20
C
iss
C
oss
C
rss
5 5
C
iss
C
rss
30
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
V
DD
= 15 v
I
D
= 3 一个
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
t
d(在)
t
r
图示 9. gate–to–source 和
drain–to–source 电压 相比 总的 承担
图示 10. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
图示 11. 二极管 向前 电压
相比 电流
0.5
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
0.6 0.65 0.7 0.75 0.8 0.85
100
10
t
d(止)
t
f
1200
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