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资料编号:485169
 
资料名称:MMFT2955E
 
文件大小: 178.44K
   
说明
 
介绍:
TMOS MEDIUM POWER FET 1.2 AMP 60 VOLTS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MMFT2955E
4
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
向前 片面的 safe 运行 范围
这 fbsoa 曲线 定义 这 最大 drain–to–source
电压 和 流 电流 那 一个 设备 能 safely handle
当 它 是 向前 片面的, 或者 当 它 是 在, 或者 正在 转变 在.
因为 这些 曲线 包含 这 限制 的 同时发生的
高 电压 和 高 电流, 向上 至 这 比率 的 这 设备,
它们 是 特别 有用的 至 designers 的 直线的 系统. 这
曲线 是 为基础 在 一个 包围的 温度 的 25
°
c 和 一个
最大 接合面 温度 的 150
°
c. 限制 为 re-
petitive 脉冲 在 各种各样的 包围的 温度 能 是 de-
termined 用 使用 这 热的 回馈 曲线. motorola
应用 便条, an569, “transient 热的 resistance–
一般 数据 和 它的 use” 提供 详细地 说明.
切换 safe 运行 范围
这 切换 safe 运行 范围 (soa) 是 这 boundary
那 这 加载 线条 将 traverse 没有 incurring 损坏 至
这 场效应晶体管. 这 基本的 限制 是 这 顶峰 电流,
idm 和 这 损坏 电压, bvdss. 这 切换 soa
是 适用 为 两个都 turn–on 和 turn–off 的 这 设备 为
切换 时间 较少 比 一个 microsecond.
图示 7. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
D
i , 流 电流 (放大器)
1
0.1
0.01
0.1 10 100
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
10
1 s
直流
500 ms
1
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
100 ms
20 ms
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
一个
= 25
°
C
图示 8. 热的 回馈
1.0
0.1
0.001
1.0e–05 1.0e–04 1.0e–03 1.0e–02 1.0e–01 1.0e+00
r(t), 有效的 热的 阻抗
t, 时间 (s)
0.1
0.01
0.2
0.02
0.01
d = 0.5
单独的 脉冲波
(normalized)
0.05
R
θ
JA
(t) = r(t) r
θ
JA
R
θ
JA
= 156
°
c/w 最大值
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
一个
= p
(pk)
R
θ
JA
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
1.0e+01
commutating safe 运行 范围 (csoa)
这 commutating safe 运行 范围 (csoa) 的 图示 10 定义 这 限制 的 safe 运作 为 commutated source–drain
电流 相比 re–applied 流 电压 当 这 source–drain 二极管 有 undergone 向前 偏差. 这 曲线 显示 这 limita-
tions 的 i
FM
和 顶峰 v
DS
为 一个 给 比率 的 改变 的 源 电流. 它 是 适用 当 波形 类似的 至 那些 的 图示
9 是 呈现. 全部 或者 half–bridge pwm 直流 发动机 控制者 是 一般 产品 需要 csoa 数据.
设备 压力 增加 和 增加 比率 的 改变 的 源 电流 所以 di
S
/dt 是 指定 和 一个 最大 值. 高等级的
值 的 di
S
/dt 需要 一个 适合的 减额 的 i
FM
, 顶峰 v
DS
或者 两个都. ultimately di
S
/dt 是 限制 primarily 用 设备, 包装,
和 电路 阻抗. 最大 设备 压力 occurs 在 t
rr
作 这 二极管 变得 从 传导 至 反转 blocking.
V
ds(pk)
是 这 顶峰 drain–to–source 电压 那 这 设备 必须 支持 在 commutation; i
FM
是 这 最大 向前
source–drain 二极管 电流 just 较早的 至 这 onset 的 commutation.
V
R
是 指定 在 80% 评估 bv
DSS
至 确保 那 这 csoa 压力 是 maximized 作 i
S
decays 从 i
RM
至 零.
R
GS
应当 是 使减少到最低限度 在 commutation. t
J
有 仅有的 一个 第二 顺序 效应 在 csoa.
偏离 inductances 在 motorola’s 测试 电路 是 assumed 至 是 实际的 minimums. dv
DS
/dt 在 excess 的 10 v/ns 是 在-
tained 和 di
S
/dt 的 400 一个/
µ
s.
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