mmst918 / pn918
晶体管
2/2
z
电的 典型的 曲线
0
10
20
2
00
10
I
B
=0
µ
一个
20
µ
一个
40
µ
一个
60
µ
一个
80
µ
一个
100
µ
一个
120
µ
一个
140
µ
一个
160
µ
一个
180
µ
一个
Ta=25
°
C
集电级 电流 : ic
(毫安)
集电级-发射级 电压 : v
CE
(v)
图.1 典型 输出 特性
0.1 0.2 0.5
12 510205010
0
100
200
500
1000
10
20
50
直流 电流 增益 : h
FE
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
图.2 直流 电流 增益 vs.
集电级 电流
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
0.2
0.3
0.1
0
集电级 发射级 饱和 电压 : v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 : ic (毫安)
Ta
=
25
°
C
I
C
/ i
B
=
10
图.3 集电级-发射级 饱和
电压 vs. 集电级 电流
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
0.8
0.6
1.2
1.0
1.8
1.6
1.4
0.4
0.2
0
根基 发射级 电压 : v
是(在)
(v)
集电级 电流 : ic (毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
10V
图.5 根基-发射级 '在' 电压
vs. 集电级 电流
0.1 0.2 0.5
12 510205010
0
1
2
5
10
0.1
0.2
0.5
电容
(pf)
反转 偏差 电压 : v
(v)
Ta
=
25
°
C
f
=
1MHz
Cob
图.6 电容 vs.
反转 偏差 电压
Cib
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
0.8
1.0
1.2
1.4
1.8
1.6
0.2
0.4
0.6
0
根基 发射级 饱和 电压 : v
是(sat)
(v)
集电级 电流 : ic
(毫安)
Ta
=
25
°
C
I
C
/ i
B
=
10
图.4 根基-发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10 20 50 100
5000
2000
1000
500
200
100
50
电流 增益 带宽 产品
(mhz)
集电级 电流 : ic (毫安)
Ta
=
25
°
C
V
CE
=
5V
图.7 电流 增益 带宽 产品
vs. 集电级 电流
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