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资料编号:485462
 
资料名称:MMUN2111
 
文件大小: 266.93K
   
说明
 
介绍:
Bias Resistor Transistor
 
 


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leshan 无线电 公司, 有限公司.
q1–7/7
mmun2111rlt1 序列
典型 电的 特性
MMUN2114RLT1
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 17. v
ce(sat)
相比 i
C
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
1 2 4 6 8 1015204050 60 7080 90100
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
1
0.1
0.01
V
, 输入 电压 (伏特)
V
ce( sat)
, 最大 集电级 电压 (伏特)
c ob , 电容 (pf)
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
h
FE
, 直流 电流 增益 (normalized)
010203040
100
10
1
012345 678910
10
1
0.1
01020304050
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 18. 直流 电流 增益
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
图示 19. 输出 电容
V
, 输入 电压 (伏特)
图示 20. 输出 电流 相比 输入 电压
图示 22. inexpensive, 无秩序的 电流
V
O
= 5 v
I
C
/i
B
=10
T
一个
= –25°c
75°C
25°C
V
CE
= 10v
T
一个
=75°C
–25°C
25°C
f = 1 mhz
l
E
= 0 v
T
一个
= 25°c
02 4 6 81015 20253035404550
–25°C
25°C
T
一个
= 75°c
25°C
T
一个
= –25°c
75°C
V
O
= 0.2 v
为 pnp brts
12 v
加载
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 21. 输入 电压 相比 输出 电流
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