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资料编号:485563
资料名称:
MMUN2211LT1
文件大小: 146.66K
说明
:
介绍
:
Bias Resistor Transistor
: 点此下载
2
3
4
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6
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8
9
10
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
leshan 无线电 公司, 有限公司.
mmun2211s–6/11
mmun2211lt1 序列
典型 电的 特性
MMUN2213LT1
V
ce(sat),
最大 集电级 电压
(伏特)
图示 12. v
ce(sat)
vs. i
C
0
204060
80
10
1
0.1
0.01
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
I
C
/i
B
= 10
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
图示 13. 直流 电流 增益
1000
10
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
100
10
1
100
V
CE
= 10 v
h
fe,
直流 电流 增益 (normalized)
T
一个
= 75
°
C
–25
°
C
25
°
C
图示 14. 输出 电容
50
010203040
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
V
R
, 反转 偏差 电压 (伏特)
f = 1 mhz
l
E
= 0 一个
T
一个
= 25
°
C
C
ob,
电容 (pf)
024681
0
100
10
1
0.1
0.01
0.001
V
在
, 输入 电压 (伏特)
图示 15. 输出 电流 vs. 输入 电压
V
O
= 5 v
I
c,
集电级 电流 (毫安)
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
T
一个
= –25
°
C
75
°
C
25
°
C
100
10
1
0.1
010
20
30
40
50
I
C
, 集电级 电流 (毫安)
图示 16. 输入 电压 vs. 输出 电流
V
O
= 0.2 v
V
在,
输入 电压 (伏特)
°
T
一个
= –25
°
C
25
°
C
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