MOC3051 MOC3052
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motorola optoelectronics 设备 数据
图示 6. 支持 电流, i
H
相比 温度
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
– 40
1
0.9
0
– 30 – 20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
I
H
, 支持 电流 (毫安)
0.8
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
图示 7. 泄漏 电流, i
DRM
相比 温度
T
一个
, 包围的 温度 (
°
c)
– 40
100
1
– 30 – 20 –10 0 10 20 30 40 50 60 70 80
10
I
DRM
, 泄漏 电流 (na)
典型 电的 特性
T
一个
= 25
°
C
图示 8. ed 触发 电流, i
FT
, 相比 dv/dt
dv/dt (v/
µ
s)
0.001
1.5
0.5
10000
normalized 至:
I
FT
在 3 v
I
FT
, led 触发 电流 (normalized)
1.4
1.3
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
0.01 0.1 1 10 100 1000
I
FT
相比 dv/dt
Triac驱动器 和 好的 噪音 免除 (dv/dt 静态的) 有
内部的 噪音 拒绝电路 这个 阻止 false triggering
的这 设备 在 这 事件 的 快 raising 线条 电压 tran-
sients. inductive loads generate 一个 commutatingdv/dtthat
将活动 这 triac 驱动器 噪音抑制 电路. 这个
阻止这 设备 从 turning 在 在 它的 指定 触发
电流.它 将 在 这个情况 go 在 这 模式 的 “half waving” 的
这 加载. halfwaving 的 这 加载 将 destroy 这 电源 triac
和 这 加载.
图示8 显示 这 dependency 的 这 triac 驱动器 i
FT
ver-
sus这 reapplied 电压上升 和 一个 vp 的 400 v. 这个 dv/dt
情况simulates 一个 worst 情况 commutating dv/dt 放大器-
tude.
它能 是 seen 那 这 i
FT
做不 改变 直到 一个 commu-
tatingdv/dt reaches 1000 v/
µ
s. 实际的 负载 发生 一个
commutating dv/dt 的 较少 比 50 v/
µ
s. 这 数据 薄板 spe-
cifiedI
FT
is therefore 一个pplicable for 一个ll practical inductive
负载 和 加载 factors.
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