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资料编号:487652
 
资料名称:MPS2907A
 
文件大小: 39.68K
   
说明
 
介绍:
SMALL SIGNAL TRANSISTORS (PNP)
 
 


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电的 特性
比率 在 25°c 包围的 温度 除非 否则 指定
标识 最小值 最大值 单位
集电级-根基 损坏 电压
在 –i
C
= 10
µ
一个, i
E
= 0
–V
(br)cbo
60 伏特
集电级-发射级 损坏 电压
在 –i
C
= 10 毫安, i
B
= 0
–V
(br)ceo
60 伏特
发射级-根基 损坏 电压
在 –i
E
= 10
µ
一个, i
C
= 0
–V
(br)ebo
5 伏特
集电级-发射级 饱和 电压
在 –i
C
= 150 毫安, –i
B
= 15 毫安 –V
CEsat
0.4 伏特
在 –i
C
= 500 毫安, –i
B
= 50 毫安 –V
CEsat
1.6 伏特
根基-发射级 饱和 电压
在 –i
C
= 150 毫安, –i
B
= 15 毫安 –V
BEsat
1.3 伏特
在 –i
C
= 500 毫安, –i
B
= 50 毫安 –V
BEsat
2.6 伏特
集电级 截止 电流
在 –v
EB
= 0.5 v, –v
CE
= 30 v
–I
CEX
–50nA
集电级 截止 电流 –I
CBO
µ
一个
在 –v
CB
= 50 v, i
E
= 0 0.01
在 –v
CB
= 50 v, i
E
= 0, t
一个
=150
°
C–10
根基 截止 电流
在 –v
EB
= 0.5 v, –v
CE
= 30 v
–I
BL
–50nA
直流 电流 增益
在 –v
CE
= 10 v, –i
C
= 0.1 毫安 h
FE
75
在 –v
CE
= 10 v, –i
C
= 1 毫安 h
FE
100
在 –v
CE
= 10 v, –i
C
= 10 毫安 h
FE
100
在 –v
CE
= 10 v, –i
C
= 150 毫安 h
FE
100 300
在 –v
CE
= 10 v, –i
C
= 500 毫安 h
FE
50
增益-带宽 产品
在 –v
CE
= 20 v, –i
C
= 50 毫安, f = 100 mhz
f
T
200 MHz
输出 电容
在 –v
CB
= 10 v, f = 1 mhz, i
E
= 0
C
obo
8.0 pF
发射级-根基 电容
在 –v
EB
= 2.0 v, f = 1 mhz, i
E
= 0
C
ibo
–30pF
MPS2907A
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