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资料编号:488695
 
资料名称:MRW2001
 
文件大小: 102.85K
   
说明
 
介绍:
MICROWAVE POWER TRANSISTORS
 
 


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mrw2001 mrw2003
4
motorola rf 设备 数据
图示 4. mttf 因素
这 图表 显示 在下 显示 mttf 在 小时 x ampere
2
发射级 电流 为 各自 的 这 “super 2.0 ghz” 设备. 生命
tests 在 提升 温度 有 correlated 至 更好的 比
±
10% 至 这 theoretical prediction 为 metal 失败. 样本
mttf calculations 为基础 在 运行 情况 是 在-
cluded 在 这 图表.
100
10
1
0.1
0.01
0.001
70 90 110 130 150 170 190 210
MRW2001
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
mttf 因素 (10
6
hrs. x 放大
2
)
MRW2003
MRW2001
2.0 ghz
MRW2003
2.0 ghz
50
50
50
C
fo
C
x
B
t
C
C
C
C
fo
C
x
RFC
C
C
板 材料 = 0.062
glass-teflon
ε
r
= 2.55
板 材料 = 0.020
glass-teflon
ε
r
= 2.55
50
图示 5. pc 板 layouts
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