MSM13Q_集成电路资料查询网

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■
msm13q0000/14q0000
■
5oki 半导体
直流 特性 (v
DD
= 3.0 至 3.6 v, v
SS
= 0 v, t
j
= -40°c 至 +85°c)
参数
标识 情况
评估 值
[1]
1. 电子元件工业联合会 兼容; jesd8-1a lvttl.
单位
最小值 典型值
[2]
2. 典型 情况 是
V
DD
= 3.3 v 和 t
j
= 25
o
C
在 一个 典型 处理.
最大值
高-水平的 输入 电压 正常的 缓存区 V
IH
2.0 – V
DD
+ 0.3
V
5-v tolerant V
IH
2.0 – 5.5
低-水平的 输入 电压 正常的 缓存区 V
IL
ttl 输入 -0.3 – 0.8
5-v tolerant V
IL
ttl 输入 -0.3 – 0.8
ttl- 水平的 施密特 触发 输入
门槛 电压
正常的 缓存区 V
t+
ttl 输入
– 1.5 2.0
V
t-
0.7 1.0 –
∆
V
t
V
t+
- v
t-
0.4 0.5 –
5-v tolerant V
t+
ttl 5-v tolerant 输入
– 1.5 2.0
V
t-
0.7 1.0 –
∆
V
t
V
t+
- v
t-
0.4 0.5 –
高-水平的 输出 电压 正常的 缓存区 V
OH
I
OH
= -100 µa V
DD
- 0.2 – –
I
OH
= -1, -2, -4, -6, -8, -12, -24 毫安 2.4 – –
5-v tolerant V
OH
I
OH
= -100 µa V
DD
- 0.2 – –
I
OH
= -1, -2, -4, -6, -8, -12 毫安 2.4 – –
低-水平的 输出 电压 正常的 缓存区 V
OL
I
OL
= 100 µa – – 0.2
I
OL
= 1, 2, 4, 6, 8, 12, 24ma – – 0.4
5-v tolerant V
OL
I
OL
= 100 µa – – 0.2
I
OL
= 1, 2, 4, 6, 8, 12 毫安 – – 0.4
高-水平的 输入 电流
正常的 缓存区
I
IH
V
IH
= v
DD
– 0.1 10
µA
V
IH
= v
DD
(50-k
Ω
拉-向下) 10 66 200
5-v tolerant I
IH
V
IH
= v
DD
– 0.1 10
V
IH
= v
DD
(50-k
Ω
拉-向下) 10 66 200
低-水平的 输入 电流 正常的 缓存区 I
IL
V
IL
= v
SS
-10 -0.1 -
V
IL
= v
SS
(50-k
Ω
拉-向上) -200 -66 -10
V
IL
= v
SS
(3-k
Ω
拉-向上) -3.3 -1.1 -0.3 毫安
5-v tolerant I
IL
V
IL
= v
SS
-10 -0.1
–
µA
3-状态 输出 泄漏 电流 正常的 缓存区 I
OZH
V
OH
= v
DD
– 0.1 10
µA
V
OH
= v
DD
(50-k
Ω
拉-向下) 10 -66 200
I
OZL
V
OL
= v
SS
-10 -0.1 –
V
OL
= v
SS
(50-k
Ω
拉-向上) -200 -66 -10
V
OL
= v
SS
(3-k
Ω
拉-向上) -3.3 -1.1 -0.3 毫安
5-v tolerant I
OZH
V
OH
= v
DD
– 0.1 10
µA
V
OH
= v
DD
(50-k
Ω
拉-向下) 10 66 200
I
OZL
V
OL
= v
SS
-10 -0.1 –
保卫-用 电流
[3]
3. 内存/只读存储器 应当 是 在 powerdown 模式.
I
DDQ
输出 打开, v
IH
= v
DD
, v
IL
= v
SS
设计 依赖 µA

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––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––––– ■ msm13q0000/14q0000 ■ 5oki 半导体直流特性 (v DD = 3.0 至 3.6 v, v SS = 0 v, t j = -40°c 至 +85°c) 参数标识情况评估值 [1] 1. 电子元件工业联合会兼容; jesd8-1a lvttl. 单位最小值典型值 [2] 2. 典型情况是 V DD = 3.3 v 和 t j = 25 o C 在一个典型处理. 最大值高-水平的输入电压正常的缓存区 V IH 2.0 – V DD + 0.3 V 5-v tolerant V IH 2.0 – 5.5 低-水平的输入电压正常的缓存区 V IL ttl 输入 -0.3 – 0.8 5-v tolerant V IL ttl 输入 -0.3 – 0.8 ttl- 水平的施密特触发输入门槛电压正常的缓存区 V t+ ttl 输入 – 1.5 2.0 V t- 0.7 1.0 – ∆ V t V t+ - v t- 0.4 0.5 – 5-v tolerant V t+ ttl 5-v tolerant 输入 – 1.5 2.0 V t- 0.7 1.0 – ∆ V t V t+ - v t- 0.4 0.5 – 高-水平的输出电压正常的缓存区 V OH I OH = -100 µa V DD - 0.2 – – I OH = -1, -2, -4, -6, -8, -12, -24 毫安 2.4 – – 5-v tolerant V OH I OH = -100 µa V DD - 0.2 – – I OH = -1, -2, -4, -6, -8, -12 毫安 2.4 – – 低-水平的输出电压正常的缓存区 V OL I OL = 100 µa – – 0.2 I OL = 1, 2, 4, 6, 8, 12, 24ma – – 0.4 5-v tolerant V OL I OL = 100 µa – – 0.2 I OL = 1, 2, 4, 6, 8, 12 毫安 – – 0.4 高-水平的输入电流正常的缓存区 I IH V IH = v DD – 0.1 10 µA V IH = v DD (50-k Ω 拉-向下) 10 66 200 5-v tolerant I IH V IH = v DD – 0.1 10 V IH = v DD (50-k Ω 拉-向下) 10 66 200 低-水平的输入电流正常的缓存区 I IL V IL = v SS -10 -0.1 - V IL = v SS (50-k Ω 拉-向上) -200 -66 -10 V IL = v SS (3-k Ω 拉-向上) -3.3 -1.1 -0.3 毫安 5-v tolerant I IL V IL = v SS -10 -0.1 – µA 3-状态输出泄漏电流正常的缓存区 I OZH V OH = v DD – 0.1 10 µA V OH = v DD (50-k Ω 拉-向下) 10 -66 200 I OZL V OL = v SS -10 -0.1 – V OL = v SS (50-k Ω 拉-向上) -200 -66 -10 V OL = v SS (3-k Ω 拉-向上) -3.3 -1.1 -0.3 毫安 5-v tolerant I OZH V OH = v DD – 0.1 10 µA V OH = v DD (50-k Ω 拉-向下) 10 66 200 I OZL V OL = v SS -10 -0.1 – 保卫-用电流 [3] 3. 内存/只读存储器应当是在 powerdown 模式. I DDQ 输出打开, v IH = v DD , v IL = v SS 设计依赖 µA

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