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¡ 半导体
msm514800c/csl
交流 特性 (1/2)
参数
MSM514800
c/csl-70
MSM514800
c/csl-80
MSM514800
c/csl-60
(v
CC
= 5 v ±10%, ta = 0°c 至 70°c) 便条 1, 2, 3
随机的 读 或者 写 循环 时间
读 modify 写 循环 时间
快 页 模式 循环 时间
快 页 模式 读 modify 写
循环 时间
进入 时间 从
RAS
进入 时间 从
CAS
进入 时间 从 column 地址
进入 时间 从
CAS
Precharge
CAS
至 数据 输出 缓存区 转变-止 延迟 时间
转变 时间
RAS
precharge 时间
RAS
脉冲波 宽度
RAS
脉冲波 宽度 (快 页 模式)
RAS
支撑 时间
CAS
脉冲波 宽度
CAS
支撑 时间
RAS
至
CAS
延迟 时间
RAS
至 column 地址 延迟 时间
CAS
至
RAS
precharge 时间
行 地址 设置-向上 时间
行 地址 支撑 时间
column 地址 设置-向上 时间
column 地址 支撑 时间
column 地址 支撑 时间 从
RAS
column 地址 至
RAS
含铅的 时间
读 command 设置-向上 时间
读 command 支撑 时间
读 command 支撑 时间 关联 至
RAS
进入 时间 从
OE
OE
至 数据 输出 缓存区 转变-止 延迟 时间
refresh 时期
refresh 时期 (sl 版本)
RAS
支撑 时间 关联 至
OE
最小值 最大值 最小值 最大值
RAS
支撑 时间 从
CAS
Precharge
标识
t
RC
t
RWC
t
PC
t
PRWC
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
CPA
t
止
t
T
t
RP
t
RAS
t
RASP
t
RSH
t
CAS
t
CSH
t
RCD
t
RAD
t
CRP
t
ASR
t
RAH
t
ASC
t
CAH
t
RAL
t
RCS
t
RCH
t
RRH
t
OEA
t
OEZ
t
REF
t
REF
t
ROH
t
RHCP
最小值 最大值
输出 低 阻抗 时间 从
CAS
t
CLZ
CAS
precharge 时间 (快 页 模式) t
CP
t
AR
单位 便条
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ns
110
155
40
85
—
—
—
—
0
0
3
40
60
60
15
10
20
60
20
15
10
0
10
0
10
30
0
0
0
—
0
—
—
15
—
—
—
—
60
20
30
35
—
15
50
—
10,000
100,000
—
—
10,000
—
40
30
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
15
16
128
—
150
205
50
105
—
—
—
—
0
0
3
60
80
80
20
10
20
80
20
15
10
0
10
0
15
40
0
0
0
—
0
—
—
20
—
—
—
—
80
20
40
45
—
20
50
—
10,000
100,000
—
—
10,000
—
60
40
—
—
—
—
—
—
—
—
—
20
20
16
128
—
4, 5, 6
4, 5
4, 6
4
7
5
6
8
8
4
7
4
3
11
130
185
45
100
—
—
—
—
0
0
3
50
70
70
20
10
20
70
20
15
10
0
10
0
15
35
0
0
0
—
0
—
—
20
—
—
—
—
70
20
35
40
—
20
50
—
10,000
100,000
—
—
10,000
—
50
35
—
—
—
—
—
ns50 — 60 —55 —
—
—
—
—
20
20
16
128
—
ns35 — 45 —40 —
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