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128mb, 64mb, 32mb q-flash 记忆 micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
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128mb, 64mb, 32mb
q-flash 记忆
表格 3
总线 行动
ce0, ce1, STS DEFAULT
模式 RP# CE2
1
OE#
2
WE#
2
地址 V
PEN
DQ
3
模式 注释
读 排列 V
IH
使能 V
IL
V
IH
XXD
输出
高-z
4
5, 6, 7
输出 使不能运转 V
IH
使能 V
IH
V
IH
X X 高-z X
备用物品 V
IH
无能 X X X X 高-z X
重置/电源-向下 V
IL
X X X X X 高-z 高-z
4
模式
读 identifier 代号 V
IH
使能 V
IL
V
IH
看 X 便条 8 高-z
4
图示 2
读 query V
IH
使能 V
IL
V
IH
看 X 便条 9 高-z
4
表格 7
读 状态 (ism 止) V
IH
使能 V
IL
V
IH
XXD
输出
读 状态 (ism 在) V
IH
使能 V
IL
V
IH
XX
DQ7 D
输出
DQ15–DQ8 高-z
DQ6–DQ0 高-z
写 V
IH
使能 V
IH
V
IL
XV
PENH
D
在
X 7, 10, 11
便条:
1. 看 表格 2 为 有效的 ce 配置.
2. oe# 和 we# 应当 从不 是 使能 同时发生地.
3. dq 谈及 至 dq0–dq7 如果 byte# 是 低 和 dq0–dq15 如果 byte# 是 高.
4. 高-z 是 v
OH
和 一个 外部 拉-向上 电阻.
5. 谈及 至 直流 特性. 当 v
PEN
≤
V
PENLK
, 记忆 内容 能 是 读, 但是 不 改变.
6. x 能 是 v
IL
或者 v
IH
为 控制 和 地址 管脚, 和 v
PENLK
或者 v
PENH
为 v
PEN
. 看 直流 特性 为 v
PENLK
和
V
PENH
电压.
7. 在 default 模式, sts 是 v
OL
当 这 ism 是 executing 内部的 块 擦掉, 程序, 或者 锁 位 配置
algorithms. 它 是 v
OH
当 这 ism 是 不 busy, 在 块 擦掉 suspend 模式 (和 程序编制 inactive), 程序
suspend 模式, 或者 重置/电源-向下 模式.
8. 看 读 identifier 代号 部分 为 读 identifier 代号 数据.
9. 看 读 query 模式 command 部分 为 读 query 数据.
10. command 写 involving 块 擦掉, 程序, 或者 锁 位 配置 是 reliably executed 当 v
PEN
= v
PENH
和
V
CC
是 在里面 规格.
11. 谈及 至 表格 4 为 有效的 d
在
在 一个 写 运作.
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