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256mb: x4, x8, x16 ddr333 sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
256mx4x8x16ddr333_b.p65–rev. b; pub. 10/01 ©2001, micron 技术, 公司
256mb: x4, x8, x16
ddr333 sdram 补遗
初步的
一般 描述
这 ddr333 sdram 是 一个 高-速 cmos, dy-
namic 随机的-进入 记忆 那 运作 在 一个 fre-
quency 的 167 mhz (
t
ck=6ns) 和 一个 顶峰 数据 trans-
fer 比率 的 333mb/s/p. ddr333 持续 至 使用 这
电子元件工业联合会 标准 sstl_2 接口 和 这
2n
-prefetch
architecture.
这 标准 ddr200/ddr266 数据 薄板 也
pertain 至 这 ddr333 设备 和 应当 是 关联
为 一个 完全 描述 的 ddr sdram 函数-
ality 和 运行 模式. 不管怎样, 至 满足 这 faster
ddr333 运行 发生率, 一些 的 这 交流 定时
参数 是 slightly tighter. 这个 补遗 数据
薄板 将 concentrate 在 这 关键 differences 必需的
至 支持 这 增强 speeds.
在 增加 至 这 标准 66-管脚 tsop 包装,
一个 60-球 fbga 包装 是 使用 为 ddr333. 这个
电子元件工业联合会-定义 包装 promotes 更好的 包装 para-
sitic 参数 和 一个 小 footprint.
电容 (tsop)
(注释: 1-5, 14-17, 33; 注释 呈现 在 ddr200/266 数据 sheets)
(0°C
≤
T
一个
≤
70°c; v
DD
q = +2.5v ±0.2v, v
DD
= +2.5v ±0.2v)
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
delta 输入/输出 电容:
dqs, dqs, dm (为 x4 或者 x8 设备) 直流
IO
– 0.50 pF 13, 24
dq0-dq7, ldqs, ldm (为 更小的 字节 的 x16 设备), 直流
IO
– 0.50 pF 13, 24
dq8-dq15, udqs, udm (为 upper 字节 的 x16 设备) 直流
IO
– 0.50 pF 13, 24
delta 输入 电容: command 和 地址 直流
I
1 – 0.50 pF 13, 29
delta 输入 电容: ck, ck# 直流
I
2 – 0.25 pF 13, 29
输入/输出 电容: dqs, dqs, dm (ldqs, ldm, udm) C
IO
4.0 5.0 pF 13
输入 电容: command 和 地址 C
I
1
2.0 3.0 pF 13
输入 电容: ck, ck# C
I
2
2.0 3.0 pF 13
输入 电容: cke C
I
3
2.0 3.0 pF 13
电容 (fbga)
(注释: 1-5, 14-17, 33; 注释 呈现 在 ddr200/266 数据 sheets)
(0°C
≤
T
一个
≤
70°c; v
DD
q = +2.5v ±0.2v, v
DD
= +2.5v ±0.2v)
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
delta 输入/输出 电容:
dqs, dqs, dm (为 x4 或者 x8 设备) 直流
IO
– 0.50 pF 13, 24
dq0-dq7, ldqs, ldm (为 更小的 字节 的 x16 设备), 直流
IO
– 0.50 pF 13, 24
dq8-dq15, udqs, udm (为 upper 字节 的 x16 设备) 直流
IO
– 0.50 pF 13, 29
delta 输入 电容: command 和 地址 直流
I
1 – 0.50 pF 13, 29
delta 输入 电容: ck, ck# 直流
I
2 – 0.25 pF 13, 29
输入/输出 电容: dqs, dqs, dm (ldqs, ldm, udm) C
IO
3.50 4.00 pF 13
输入 电容: command 和 地址 C
I
1
1.50 2.50 pF 13
输入 电容: ck, ck# C
I
2
1.50 2.50 pF 13
输入 电容: cke C
I
3
1.50 2.50 pF 13
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