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512mb: x4, x8, x16 ddr sdram micron 技术, inc., reserves 这 正确的 至 改变 产品 或者 规格 没有 注意.
512mx4x8x16ddr_b.p65
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rev. b; pub 4/01 ©2001, micron 技术, 公司
512mb: x4, x8, x16
ddr sdram
进步
呈现 下列的 这 运作 部分; 这些 tables
提供 电流 状态/next 状态 信息.
COMMANDS
真实 表格 1 提供 一个 快 涉及 的 avail-
能 commands. 这个 是 followed 用 一个 verbal descrip-
tion 的 各自 command. 二 额外的 真实 tables
便条:
1. cke 是 高 为 所有 commands 显示 除了 自 refresh.
2. ba0-ba1 选择 也 这 模式 寄存器 或者 这 扩展 模式 寄存器 (ba0 = 0, ba1 = 0 选择 这 模式 寄存器;
ba0 = 1, ba1 = 0 选择 扩展 模式 寄存器; 其它 结合体 的 ba0-ba1 是 保留). a0-a12 提供 这 op-
代号 至 是 写 至 这 选择 模式 寄存器.
3. ba0-ba1 提供 bank 地址 和 a0-a12 提供 行 地址.
4. ba0-ba1 提供 bank 地址; a0-一个
i
提供 column 地址 (在哪里
i
= 9 为 x16, 9,11 为 x8, 和 9, 11, 12 为 x4);
a10 高 使能 这 自动 precharge 特性 (nonpersistent), 和 a10 低 使不能运转 这 自动 precharge 特性.
5. a10 低: ba0-ba1 决定 这个 bank 是 precharged.
a10 高: 所有 banks 是 precharged 和 ba0-ba1 是
“
Don
’
t 小心.
”
6. 这个 command 是 自动 refresh 如果 cke 是 高, 自 refresh 如果 cke 是 低.
7. 内部的 refresh 计数器 控制 行 寻址; 所有 输入 和 i/os 是
“
Don
’
t 小心
”
除了 为 cke.
8. 应用 仅有的 至 读 bursts 和 自动 precharge 无能; 这个 command 是 未阐明的 (和 应当 不 是 使用) 为 读
bursts 和 自动 precharge 使能 和 为 写 bursts.
9. deselect 和 nop 是 functionally interchangeable.
10. 使用 至 掩饰 写 数据; 提供 coincident 和 这 相应的 数据.
真实 表格 1 – commands
(便条: 1)
名字 (函数) CS# RAS# CAS# WE# 地址 注释
deselect (nop) H X X X X 9
非 运作 (nop) L H H H X 9
起作用的 (选择 bank 和 活动 行) L L H H bank/行 3
读 (选择 bank 和 column, 和 开始 读 burst) L H L H bank/col 4
写 (选择 bank 和 column, 和 开始 写 burst) L H L L bank/col 4
burst terminate L H H L X 8
precharge (deactivate 行 在 bank 或者 banks) L L H L 代号 5
自动 refresh 或者 自 refresh L L L H X 6, 7
(enter 自 refresh 模式)
加载 模式 寄存器 L L L L 运算-代号 2
真实 表格 1a – dm 运作
(便条: 10)
名字 (函数) DM DQs 注释
写 使能 L 有效的
写 inhibit HX
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