ISO
2
-cmos
mt8870d/mt8870d-1
4-17
† exceeding 这些 值 将 导致 永久的 损坏. 函数的 运作 下面 这些 情况 是 不 暗指.
减额 在之上 75 °c 在 16 mw / °c. 所有 leads 焊接 至 板.
‡ 典型 计算数量 是 在 25°c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
‡ 典型 计算数量 是 在 25°c 和 是 为 设计 aid 仅有的: 不 有保证的 和 不 主题 至 生产 测试.
绝对 最大 比率
†
参数 标识 最小值 最大值 单位
1 直流 电源 供应 电压 V
DD
7V
2 电压 在 任何 管脚 V
I
V
SS
-0.3 V
DD
+0.3 V
3 电流 在 任何 管脚 (other 比 供应) I
I
10 毫安
4 存储 温度 T
STG
-65 +150 °C
5 包装 电源 消耗 P
D
500 mW
推荐 运行 情况
-
电压 是 和 遵守 至 地面 (v
SS
) 除非 否则 陈述.
参数 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1 直流 电源 供应 电压 V
DD
4.75 5.0 5.25 V
2 运行 温度 T
O
-40 +85 °C
3 结晶/时钟 频率 fc
3.579545
MHz
4 结晶/时钟 freq.容忍
∆
fc ±0.1 %
直流 电的 特性
-
V
DD
=5.0v± 5%, v
SS
=0v, -40°c
≤
T
O
≤
+85°c, 除非 否则 陈述.
特性 Sym 最小值 典型值
‡
最大值 单位 测试 情况
1
S
U
P
P
L
Y
备用物品 供应 电流 I
DDQ
10 25
µ
一个 PWDN=V
DD
2 运行 供应 电流 I
DD
3.0 9.0 毫安
3 电源 消耗量 P
O
15 mW fc=3.579545 mhz
4
I
N
P
U
T
S
高 水平的 输入 V
IH
3.5 V V
DD
=5.0v
5 低 水平的 输入 电压 V
IL
1.5 V V
DD
=5.0v
6 输入 泄漏 电流 I
IH
/i
IL
0.1
µ
AV
在
=V
SS
或者 v
DD
7 拉 向上 (源) 电流 I
所以
7.5 20
µ
一个 toe (管脚 10)=0,
V
DD
=5.0v
8 拉 向下 (下沉)电流 I
SI
15 45
µ
一个 inh=5.0v, pwdn=5.0v,
V
DD
=5.0v
9 输入 阻抗 (in+, 在-) R
在
10 M
Ω
@ 1 khz
10 steering 门槛 电压 V
TSt
2.2 2.4 2.5 V V
DD
= 5.0v
11
O
U
T
P
U
T
S
低 水平的 输出 电压 V
OL
V
SS
+0.03 V 非 加载
12 高 水平的 输出 电压 V
OH
V
DD
-0.03 V 非 加载
13 输出 低 (下沉) 电流 I
OL
1.0 2.5 毫安 V
输出
=0.4 v
14 输出 高 (源) 电流 I
OH
0.4 0.8 毫安 V
输出
=4.6 v
15 V
Ref
输出 电压 V
Ref
2.3 2.5 2.7 V 非 加载, v
DD
= 5.0v
16 V
Ref
输出 阻抗 R
或者
1k
Ω
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