MTB16N25E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
0 2 4 6 81
16
24
32
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
100
°
C
8
5 v
6 v
7 v
V
GS
= 10 v
2 3 4 5 6 7
0
16
24
32
8
0
25
°
C
8 v
7 8
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 5 10 15 20 25
0
0.1
0.2
0.4
0.6
I
D
, 流 电流 (放大器) I
D
, 流 电流 (放大器)
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
0.5
0.3
35
0.1
0.14
0.22
0.26
0 8 16 24 32 40
15 v
V
GS
= 10 v
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
–50
0
0.5
1.0
1.5
2.0
0 100 200
1
10
100
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
DSS
, 泄漏 (na)
–25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 0 v
50 150 250
T
J
= 125
°
C
25
°
C
100
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
= 8 一个
2.5
1000
3 5
30
0.18
3.0
300
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