MTD5P06V
3
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
0 1 2 3 4 5
0
7
2
4
10
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
7
8
2 3 4 8
0
1
2
3
6
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
1 2 3 4 5 6
0.2
0.25
0.3
0.35
0.6
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
1 2 3 4 5 7
0.2
8
0.25
0.3
0.4
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
–50
1.8
0.2
0.4
0.6
0 10 20 30 40
1
50
10
100
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 125
°
C
15 v
–25 0 25 50 75 100 150
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 2.5 一个
6
8
6
7 v
6 v
5 v
4 v
8 v
9 v
4
5
5 6 7
0.4
0.45
7
0.35
96
0.8
1
1.2
1.4
1.6
125
60
8 9
9
10
8 9 10
0.5
0.55
10
175
: 点此下载
