半导体 组件 industries, llc, 2000
十一月, 2000 – rev. 3
1
发行 顺序 号码:
mtd3055v/d
preferred 设备
n–channel dpak
这个 电源 场效应晶体管 是 设计 至 承受 高 活力 在 这
avalanche 和 commutation 模式. 设计 为 低 电压, 高
速 切换 产品 在 电源 供应, 转换器 和 电源
发动机 控制, 这些 设备 是 特别 好 suited 为 桥
电路 在哪里 二极管 速 和 commutating safe 运行 areas 是
核心的 和 提供 额外的 安全 余裕 相反 unexpected 电压
过往旅客.
•
avalanche 活力 指定
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率
标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
60 Vdc
gate–source 电压
– 持续的
– non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
20
±
25
Vdc
Vpk
流 电流 – 持续的 @ 25
°
C
流 电流– 持续的 @ 100
°
C
流 电流– 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
12
7.3
37
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗 @ 25
°
C
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
一个
= 25
°
c, 当
挂载 至 最小 推荐 垫子
大小
P
D
48
0.32
1.75
Watts
w/
°
C
Watts
运行 和 存储 温度
范围
T
J
, t
stg
–55 至
175
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche
活力 – 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 10 vdc,
I
L
= 12 apk, l = 1.0 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
72 mJ
热的 阻抗
– 接合面 至 情况
– 接合面 至 包围的
– 接合面 至 包围的, 当 挂载 至
最小 推荐 垫子 大小
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
3.13
100
71.4
°
c/w
最大 温度 为 焊接
目的, 1/8
″
从 情况 为 10
秒
T
L
260
°
C
管脚 分派
1
门
3
源
2
流
4
流
12 amperes
60 伏特
R
ds(在)
= 150 m
Ω
设备 包装 Shipping
订货 信息
MTD3055V DPAK 75 单位/栏杆
情况 369a
DPAK
样式 2
http://onsemi.com
N–Channel
D
S
G
MTD3055V1 DPAK 75 单位/栏杆
标记
图解
Y = 年
WW = 工作 week
T = 场效应晶体管
YWW
T
3055V
MTD3055VT4 DPAK 2500 录音带 &放大; 卷轴
1
2
3
4
Preferred
设备 是 推荐 choices 为 future 使用
和 最好的 整体的 值.
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