MTD3055VL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 1 2 3 5
0
8
16
24
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
0
4
8
16
24
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 4 8 12 16 24
0.02
0.14
0.26
0.32
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 4 12 16 20 24
0.07
0.12
0.17
0.22
0.27
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
0 10 20 40 50 60
0.1
100
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
5 v
4.5 v
3 v
2.5 v
3.5 v
V
GS
= 5 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
4
12
20
4
12
20
20 8
30
4 v
2.5 3.5 4.5 5.5
0.20
0.08
1.0
10
100
°
C
V
GS
= 10 v
5 v
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
– 50
0
0.5
1.0
1.5
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
2.0
V
GS
= 5 v
I
D
= 6 一个
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