MTD2955V
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
012345
0
15
25
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
24 6 810
0
9
18
24
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
V
GS
= 10 v
9 v
8 v
6 v
5 v
7 v
5
10
20
3579
3
12
21
678910
15
6
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
03 6 15 24
0
0.10
0.20
0.30
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 6 21 24
0.050
0.075
0.200
0.250
I
D
, 流 电流 (放大器) I
D
, 流 电流 (放大器)
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
T
J
= 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
12 21 3 12 15
0.05
0.15
0.25
0.100
0.225
0.125
V
GS
= 10 v
15 v
189
0.35
0.40
0.175
918
0.150
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
–50
0.6
0.8
1.2
1.6
020 5060
10
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c) V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
I
DSS
, 泄漏 (na)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 6 一个
10 30 40
1.0
1.4
T
J
= 125
°
C
175
0.4
0.2
0
1.8
2.0
100
°
C
电源 场效应晶体管 切换
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