MTP4N80E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C
048121620
7
2 6 10 14 18
3
5 v
6 v
V
DS
≥
10 v
2.0 2.8 3.6 4.4 5.22.4 3.2 4.0 4.8
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
1.8
2.4
2.1
V
GS
= 0 v
0 200 400
1
100
10000
100 300 600500
25
°
C
T
J
= 125
°
C
13 7
0.6
2.2
3.8
4.6
3.0
1.4
5
T
J
= 100
°
C
25
°
C
–55
°
C
V
GS
= 10 v
–50
0.2
0.6
1.0
1.8
2.2
–25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 10 v
I
D
= 2 一个
4 v
5
1
1000
2.3
2.5
2.6
2.2
2.0
1.4
6
2
8
4
I
D
, 流 电流 (放大器)
5.6
24 86
1.9
10
800700
7
3
5
1
6
2
8
4
0
13 7524 86
100
°
C
V
GS
= 10 v
0
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