MTP20N20E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 2 4 6 8 10
30
40
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 8 16 24 32
0.05
0.15
0.25
0.35
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
–50
0.4
0.8
1.2
0 100
1
100
10000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
–25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
20
1 3 5 7 9
10
5 v
6 v
7 v
V
GS
= 10 v
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.52.5 3.5 4.5 5.5 6.5 8.5
0.30
0.20
0.10
4 12 20 28 36
50 150 200
0
25
35
40
20
30
10
0
40
0.10
0.11
0.13
0.15
0.17
0.16
0.14
0.12
0 8 16 24 324 12 20 28 36 40
V
GS
= 10 v
15 v
25
°
C
9 v
100
°
C
5
15
1000
10
2.0
1.6
7.0 8.0
T
J
= 125
°
C
2.4
8 v
– 55
°
C
25
°
C
T
J
= 100
°
C
V
GS
= 10 v
I
D
= 10 一个
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