MTP2P50E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
0 4 8 28
0
1
2
3
4
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
2 3 4 5 6 7
0
1
2
3
4
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 1 2 2.5 3.5 4
0
2
6
10
R
ds(在)
, 流-至-源 阻抗 (ohms)
0 1 2 3 4
4
4.5
5
5.5
6
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
0.5
1
1.5
2
R
ds(在)
1
10
100
1000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
, 流-至-源 阻抗 (ohms)
, 流-至-源 阻抗
(normalized)
I
DSS
, 泄漏 (na)
T
J
= 25
°
C V
DS
≥
10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 1 一个
12 16
6 v
5 v
3.5
2.5
1.5
0.5
2.5 3.5 4.5 5.5 6.5
4
8
31.50.5
25
°
C
– 55
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 0 10050 150 200 250 500300 350 400 450
T
J
= 125
°
C
100
°
C
25
°
C
0.5 1.5 2.5 3.5
3.5
2.5
1.5
0.5
20 24
4 v
8 v
7 v
5.75
5.25
4.75
4.25
R
ds(在)
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