MTP75N05HD
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
(1)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
DSS
, 泄漏 (na)
0
160
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
5 v
T
J
= 25
°
C
100
60
20
0
1 2 3 4 5
160
I
D
, 流 电流 (放大器)
120
80
40
20
0
0 1 2 3 5 8
0.014
0.012
0.01
0.006
0.004
0
I
D
, 流 电流 (放大器)
20
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
V
GS
= 10 v
0.009
0.008
0.005
0
I
D
, 流 电流 (放大器)
20 40 60 80 100 120
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 10 v
2
1.5
1
0.5
0
– 50
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
– 25 0 25 50 75 100 125 150
1000
100
0
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
0 15 30 40 50
25
°
C
100
°
C
V
GS
= 10 v
T
J
= – 55
°
C
25
°
C
0.008
0.002
0.007
0.006
140 160
10000
10
40
80
120
140
1.5 2.5 3.5 4.50.5
140
100
60
64 7
40 60 80 100 120 140
5 10 20 25 35 45
T
J
= 125
°
C
7 v
6 v
V
GS
= 0 v
(1)
脉冲波 tests: 脉冲波 宽度
≤
250
µ
s, 职责 循环
≤
2%.
V
DS
≥
10 v
100
°
C
15 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 37.5 一个
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